[发明专利]一种贯孔式振子装置晶圆级封装结构的制造方法无效

专利信息
申请号: 201010510173.X 申请日: 2010-10-18
公开(公告)号: CN101997510A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 蓝文安;赵岷江;黄国瑞;沈俊男 申请(专利权)人: 台晶(宁波)电子有限公司
主分类号: H03H9/05 分类号: H03H9/05;B81C1/00
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人: 黄志达;谢文凯
地址: 315800 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 贯孔式振子 装置 晶圆级 封装 结构 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种贯孔式振子装置晶圆级封装结构的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)提供一个上盖;

(2)在上盖上形成一封装环层,并对封装环层进行图形化以形成封装环;

(3)利用封装环为屏蔽,在上盖上蚀刻出凹槽;

(4)提供一个基座,并在该基座上开设与基座相互垂直的导电通孔;

(5)在基座上制作一层封装环,该封装环的位置与上盖上封装环的位置相互对应;

(6)将振子单元黏合在基座中,并与导电通孔构成电气连接;

(7)对准上盖的封装环和基座的封装环,结合上盖和基座,进行封装;

(8)薄化上盖顶部和基座底部,露出导电通孔,并在导电通孔处制作基座金属焊垫;

(9)以雷射切割或锯片切割制作成单颗组件。

2.根据权利要求1所述的贯孔式振子装置晶圆级封装结构的制造方法,其特征在于,在所述的步骤(4)中包括以下子步骤:

1)在基座上利用溅镀方式或蒸镀方式制作一层金属层;

2)采用黄光显影方式将金属层图形化,露出部分基座的区域;

3)采用干式蚀刻方式在露出部分基座的区域上蚀刻出凹洞,并使用湿式蚀刻的方式将金属层去除;

4)采用电镀方式将凹洞中填满电镀层,同时在基座上表面形成一层电镀层,研磨基座上表面的电镀层,直至露出基座,即形成导电通孔。

3.根据权利要求1所述的贯孔式振子装置晶圆级封装结构的制造方法,其特征在于,所述的步骤(2)和步骤(5)中的封装环为金属材质时,采用溅镀方式或蒸镀方式进行制作;封装环为有机聚合物材质时,采用旋涂的方式进行制作;封装环为氧化物材质时,采用化学气相沉积或热氧化制程进行制作。

4.根据权利要求1所述的贯孔式振子装置晶圆级封装结构的制造方法,其特征在于,所述的步骤(6)中振子单元通过点胶和自动夹取装置定位在基座上,并通过导电凸块实现与导电通孔的电气连接。

5.根据权利要求1所述的贯孔式振子装置晶圆级封装结构的制造方法,其特征在于,所述的步骤(6)中的振子单元为石英晶体振子或机械共振型式振子;其中,所述的石英晶体振子为温度稳定切角石英晶体振子或音叉型石英晶体振子。

6.根据权利要求1所述的贯孔式振子装置晶圆级封装结构的制造方法,其特征在于,所述的步骤(8)中的薄化上盖顶部可在步骤(3)后进行;薄化基座底部,露出导电通孔可在步骤(5)后进行。

7.一种贯孔式振子装置晶圆级封装结构的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)提供一个上盖;

(2)在上盖上形成一封装环层,并对封装环层进行图形化以形成封装环;

(3)提供一个基座,并在该基座上开设与基座相互垂直的导电通孔;

(4)在基座上制作一层封装环,该封装环的位置与上盖上封装环的位置相互对应;

(5)利用封装环为屏蔽,在基座上蚀刻出凹槽;

(6)将振子单元黏合在基座中,并与导电通孔构成电气连接;

(7)对准上盖的封装环和基座的封装环,结合上盖和基座,进行封装;

(8)薄化上盖顶部和基座底部,露出导电通孔,并在导电通孔处制作基座金属焊垫;

(9)以雷射切割或锯片切割制作成单颗组件。

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