[发明专利]金属硅化物的形成方法

权利要求书

1.一种金属硅化物的形成方法，该方法包括：

在半导体衬底表面形成栅极结构；

向半导体衬底进行轻掺杂漏LDD注入，在栅极结构两侧的半导体衬底上形成轻掺杂漏极和轻掺杂源极；

在栅极结构两侧形成侧壁层；

向半导体衬底进行离子注入，在侧壁层两侧的半导体衬底上形成漏极和源极；

沉积金属硅化物阻挡层后，进行紫外线照射；

对金属硅化物阻挡层进行刻蚀，暴露出接触孔形成区域对应的半导体衬底表面或栅极结构后，沉积金属，然后进行快速退火处理，在暴露出的半导体衬底表面或栅极结构表面形成金属硅化物。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属硅化物阻挡层为硅氧化物。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述硅氧化物为二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述紫外线照射的温度为100℃至500℃，紫外线照射的时间为0.5分钟至20分钟。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述紫外线照射的环境为密闭腔室；所述密闭腔室中的气压为10托至780托。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积的金属为镍、钛或者钴；

所述形成的金属硅化物为镊基硅化物、钛基硅化物或钴基硅化物。