[发明专利]热固型芯片接合薄膜无效
| 申请号： | 201010510344.9 | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102074493A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 宍户雄一郎;高本尚英 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/58;H01L23/495;C09J7/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热固型 芯片 接合 薄膜 | ||
1.一种热固型芯片接合薄膜，用于将半导体元件胶粘固定到被粘物上，其中，
通过120℃、1小时的热处理而热固化后有机成分的凝胶分数在20重量％以下的范围内，并且通过175℃、1小时的热处理而热固化后有机成分的凝胶分数在10～30重量％的范围内。
2.如权利要求1所述的热固型芯片接合薄膜，其中，
酸值在4～10mgKOH/g的范围内。
3.如权利要求1或2所述的热固型芯片接合薄膜，其中，
由热固性树脂与酸值在10～40mgKOH/g范围内的热塑性树脂形成。
4.如权利要求1至3中任一项所述的热固型芯片接合薄膜，其中，
添加有热固化催化剂。
5.如权利要求1至4中任一项所述的热固型芯片接合薄膜，其中，
通过120℃、1小时的热处理而热固化后剪切胶粘力为0.2MPa以上。
6.如权利要求1至5中任一项所述的热固型芯片接合薄膜，其中，
热固化前的120℃下的熔融粘度在50～1000Pa·s的范围内。
7.如权利要求1至6中任一项所述的热固型芯片接合薄膜，其中，
通过175℃、1小时的热处理而热固化后的260℃下的储能弹性模量为1MPa以上。
8.一种切割/芯片接合薄膜，其中，具有在切割薄膜上层叠有权利要求1至7中任一项所述的热固型芯片接合薄膜的结构。
9.一种半导体装置，通过使用权利要求1至7中任一项所述的热固型芯片接合薄膜或者权利要求8所述的切割/芯片接合薄膜而制造。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
