[发明专利]用于薄铜箔的支持层

权利要求书

1.一种复合材料(10，20)，包括：

支持层(12)；

金属箔层(16)，所述金属箔层具有相反的第一和第二侧面，且其厚度为15微米或更薄；

释放层(14)，该释放层有效以便于使所述金属箔层(16)从所述支持层(12)分离，所述释放层(14)布置在所述支持层(12)和所述金属箔层(16)之间，并与这二者接触；和

布置在所述支持层(12)中的反应元素。

2.根据权利要求1所述的复合材料(10，20)，其中所述反应元素选自由钛、锆、钡、镁、硅、铌、钙及其混合物所组成的组中。

3.根据权利要求2所述的复合材料(10)，其中所述反应元素与所述支持层(12)形成合金。

4.根据权利要求3所述的复合材料(10)，具有重量百分比为0.001％至50％的所述反应元素。

5.根据权利要求4所述的复合材料(10)，其中所述支持层(12)是可煅的铜基材料。

6.根据权利要求5所述的复合材料(10)，具有重量百分比为0.1％至5％的所述反应元素。

7.根据权利要求2所述的复合材料(20)，其中所述反应元素布置在所述支持层(12)的表面上，并与所述释放层(14)接触。

8.一种用于制造复合材料的方法，包括以下步骤：

提供(24)含有反应元素的支持层，所述反应元素选自由钛、锆、钡、镁、硅、铌、钙及其混合物所组成的组中；

在所述支持层上沉积(26)释放层；

在所述释放层上电解沉积(28)铜箔层，由此所述铜箔层的第一侧面接触所述释放层；和

在约100℃至约350℃温度下加热(30)所述复合材料约1小时至约48小时。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述加热步骤(30)是在约100℃至约240℃的温度下持续约8小时至约24小时的单阶段步骤。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述加热步骤(30)是第一阶段在约150℃至约200℃的温度下持续约15小时至约25小时，随后第二阶段在约200℃至约250℃的温度下持续约1/2小时至约5小时的两阶段步骤。

11.根据权利要求9或10所述的方法，包括以下附加步骤：在所述铜箔层的相反第二侧面涂覆(32)聚合物电介质；和

在高于所述加热步骤(30)温度的固化温度下固化(34)所述聚合物电介质。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述固化温度为约180℃至约380℃。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述固化(34)所述聚合物电介质的步骤在没有层压压力下发生。