[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201010510420.6 | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102456798A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 沈佳辉;洪梓健 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管，包括基座、安装基座上的第一引脚及第二引脚、与第一引脚及第二引脚电连接的发光芯片及覆盖发光芯片的封装体，发光芯片可发出紫外光，其特征在于：基座表面上暴露在发光芯片照射范围内的区域覆盖有绝缘保护膜。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该绝缘保护膜为布拉格反射膜。
3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：绝缘保护膜包括多层交替层叠的第一折射层及第二折射层，第一折射层的折射率大于第二折射层的折射率。
4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：第一折射层及第二折射层的厚度均为发光芯片发出光线的波长的四分之一。
5.如权利要求1至4任一项所述的发光二极管，其特征在于：绝缘保护膜包括位于第一引脚及第二引脚之间的部分。
6.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：基座开设一收容发光芯片的凹槽，封装体填充于凹槽内。
7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：绝缘保护膜包括位于凹槽内侧壁面的部分。
8.如权利要求1至4任一项所述的发光二极管，其特征在于：封装体内掺杂有荧光粉颗粒。
9.如权利要求1至4任一项所述的发光二极管，其特征在于：封装体内掺杂有反射颗粒，反射颗粒由二氧化钛、云母或氧化锌制成。
10.如权利要求1至4任一项所述的发光二极管，其特征在于：绝缘保护层由二氧化硅或氮化硅所制成。
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