[发明专利]发光装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010511004.8 申请日: 2010-10-15
公开(公告)号: CN102042540A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 柴田晃秀;根岸哲;森下敏;小宫健治;岩田浩;高桥明;矢追善史 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: F21S8/00 分类号: F21S8/00;F21V19/00;F21V23/06;F21Y101/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李娜;王忠忠
地址: 日本大阪*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光装置,其特征在于,具备:

第一电极;

第二电极;以及

发光二极管电路,其具有至少一个由在所述第一电极和第二电极之间并联连接的多个发光二极管构成的并联构成单位,并且连接于所述第一电极和第二电极之间,

构成所述并联构成单位的所述多个发光二极管包括:

第一发光二极管,以在将所述第一电极设为比所述第二电极高电位时成为正向配置的方式配置;以及

第二发光二极管,以在将所述第二电极设为比所述第一电极高电位时成为正向配置的方式配置,

在所述并联构成单位中,

所述第一发光二极管和所述第二发光二极管混合存在而被配置,

通过交流电源对所述第一电极和所述第二电极之间施加交流电压,来驱动所述多个发光二极管。

2.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,

所述发光二极管电路是,

将所述并联构成单位串联连接多个而成。

3.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,

所述发光二极管电路具有一个所述并联构成单位,

所述第一发光二极管,其阳极连接于所述第一电极,并且阴极连接于所述第二电极,

所述第二发光二极管,其阴极连接于所述第一电极,并且阳极连接于所述第二电极。

4.如权利要求2所述的发光装置,其特征在于,

所述多个并联构成单位由彼此相等的个数的发光二极管构成。

5.如权利要求2所述的发光装置,其特征在于,

所述并联构成单位由m个发光二极管构成,其中,m为2以上的自然数,

将所述并联构成单位串联连接n个,来构建所述发光二极管电路,其中,n为2以上的自然数,

所述m和所述n满足1-(1-(1/2)m-1)n≤0.05的关系。

6.如权利要求1~5中任一项所述的发光装置,其特征在于,

所述多个发光二极管的个数为100个以上且1亿个以下。

7.如权利要求1~6中任一项所述的发光装置,其特征在于,

所述交流电源的交流频率为60Hz以上且1MHz以下。

8.如权利要求1~7中任一项所述的发光装置,其特征在于,

从所述交流电源接受的交流为矩形波。

9.如权利要求1~8中任一项所述的发光装置,其特征在于,

在一个基板上形成有所述第一电极和第二电极。

10.如权利要求9所述的发光装置,其特征在于,

所述第一电极和第二电极沿所述基板表面延伸且彼此相向,

所述第一电极具有以向所述第二电极突出且沿所述延伸方向排列的方式形成的多个突出部,

所述第二电极具有以向所述第一电极突出且沿所述延伸方向排列的方式形成的多个突出部,

所述第一电极的突出部和所述第二电极的突出部相向,

所述第一发光二极管,其阳极连接于所述第一电极的突出部且阴极连接于所述第二电极的突出部,

所述第二发光二极管,其阴极连接于所述第一电极的突出部且阳极连接于所述第二电极的突出部。

11.如权利要求1~10中任一项所述的发光装置,其特征在于,

所述发光二极管的最大尺寸为100μm以下。

12.如权利要求1~11中任一项所述的发光装置,其特征在于,

所述发光二极管为棒状。

13.如权利要求1~12中任一项所述的发光装置,其特征在于,

构成所述发光二极管的半导体层直接连接于所述第一、第二电极。

14.如权利要求1~13中任一项所述的发光装置,其特征在于,

所述发光二极管具有:

第一导电型的芯部;以及

第二导电型的外壳部,其被覆所述第一导电型的芯部的外周面,

所述第一导电型的芯部的外周面的一部分从所述第二导电型的外壳部露出。

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