[发明专利]锗硅监控片的制备方法及采用该片进行监控的方法

权利要求书

1.一种锗硅监控片的制备方法，所述锗硅监控片用于监控所述锗硅薄膜中的锗的含量，其特征在于，包括如下步骤：

1)至少设计一组光栅图形；

2)将步骤1)所述的光栅图形定义在衬底上，并刻蚀所述衬底形成由多个规则排列的沟槽构成光栅图形；

3)在所述衬底上淀积具有特定含量的锗硅薄膜，形成具光栅图形锗硅薄膜。

2.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤一中所述的光栅图形的空间周期为0.1～100微米。

3.按照权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤二之前先在衬底上淀积介质层，而在刻蚀中依次刻蚀介质层和衬底；在步骤三中采用选择性生长工艺或非选择性生长工艺淀积锗硅薄膜。

4.按照权利要求3所述的制备方法，其特征在于：步骤二的刻蚀完成后去除所述介质层。

5.按照权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述衬底为硅衬底，所述介质层为氧化硅或氮化硅，所述介质层的厚度为10埃～1微米。

6.按照权利要求1至5中任一项权利要求所述的制备方法，其特征在于：步骤二中衬底的刻蚀深度为50埃～10微米，所刻蚀的沟槽侧壁倾斜度为70～88度。

7.按照权利要求6所述的制备方法，其特征在于：步骤二中衬底的刻蚀深度为2000～5000埃。

8.一种采用权利要求1至5中任一项权利要求所制备的锗硅监控片进行监控的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)取至少一具标准含量的锗硅监控片、一具标准含量上限的锗硅监控片和一具标准含量下限的锗硅监控片；

2)探测光线分别照射步骤一中锗硅监控片的光栅图形区，获得反射与衍射光谱，分别得到三种含量锗硅监控片的反射与衍射强度；

3)以步骤二中得到的反射与衍射强度作为监控标准，监控所生成的具有光栅图形的锗硅薄膜。

9.按照权利要求8所述的方法，其特征在于：步骤3)中所监控的锗硅薄膜中光栅图形的台阶高度与所述监控片的台阶高度相同。

10.按照权利要求8或9所述的方法，其特征在于：所述探测光线的波长为100～10000纳米，探测衍射光级数为1级以上。