[发明专利]存储装置和用于制造存储装置的方法

权利要求书

1.一种存储装置，其包括电阻变化型存储元件，所述存储装置包括：

第一存储元件，其包括第一电阻变化层和连接至所述第一电阻变化层的第一电极；以及

第二存储元件，其包括第二电阻变化层和连接至所述第二电阻变化层的第二电极，

其中，所述第二电阻变化层的厚度和材料以及所述第二电极与所述第二电阻变化层的接触面积中的至少一者，不同于所述第一电阻变化层的厚度和材料以及所述第一电极与所述第一电阻变化层的接触面积中的对应的一者。

2.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一存储元件和所述第二存储元件分别与所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层连接，并且还包括电阻变化材料供应层，所述电阻变化材料供应层包含用于改变所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层的电阻的材料并向所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层供应所述材料。

3.如权利要求2所述的存储装置，其中，所述电阻变化材料供应层包括选自S、Se和Te中的至少一种元素以及选自Zr、Cu和Ag中的至少一种元素。

4.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述第二电阻变化层的厚度和材料分别不同于所述第一电阻变化层的厚度和材料。

5.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层由选自氧化钨、Ta₂O₅、Al₂O₃、SiO₂、NiO、CoO、CeO₂和HfO₂中的材料形成。

6.如权利要求1所述的存储装置，其中，选自锆、硅、氧和贵金属中的至少一种元素被引入所述第二电阻变化层。 

7.一种存储装置，其包括电阻变化型存储元件，所述存储装置包括：

第一存储元件，其包括经历电阻变化的第一电阻变化层和连接至所述第一电阻变化层的第一电极；以及

第二存储元件，其包括经历电阻变化的第二电阻变化层和连接至所述第二电阻变化层的第二电极，

其中，所述第二电极的材料不同于所述第一电极的材料。

8.如权利要求7所述的存储装置，其中，所述第一存储元件和所述第二存储元件分别与所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层连接，并且还包括电阻变化材料供应层，所述电阻变化材料供应层包含用于改变所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层的电阻的材料并向所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层供应所述材料。

9.如权利要求8所述的存储装置，其中，所述电阻变化材料供应层包括选自S、Se和Te中的至少一种元素以及选自Zr、Cu和Ag中的至少一种元素。

10.如权利要求7所述的存储装置，其中，所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层由选自氧化钨、Ta₂O₅、Al₂O₃、SiO₂、NiO、CoO、CeO₂和HfO₂中的材料形成。

11.一种用于制造存储装置的方法，所述存储装置包括电阻变化型存储元件，所述电阻变化型存储元件包括经历电阻变化的电阻变化层和连接至所述电阻变化层的电极，所述方法包括以下步骤：

在整个存储区域上形成所述电阻变化层的电阻变化材料层；

除去所述存储区域的一部分中的所述电阻变化材料层；以及

在整个存储区域上再次形成所述电阻变化材料层，以便形成第一存储元件和第二存储元件，所述第一存储元件包括作为由所述电阻变化材料层形成的较薄层的电阻变化层，所述第二存储元件包括作为由所述电阻变化材料层形成的较厚层的电阻变化层。