[发明专利]等离子体辅助原子层沉积装置及其控制方法

权利要求书

1.一种等离子体辅助原子层沉积装置，其包括有：

多个反应室，每一反应室具有第一反应空间以及第二反应空间；

阻隔单元，其通过一调整运动以将该第一反应空间以及该第二反应空间分隔或者是使该第一反应空间与该第二反应空间连通；

第一气体供应单元，其提供一第一制作工艺气体给每一个第一反应空间；

第二气体供应单元，其提供一第二制作工艺气体给每一第二反应空间；

清除气体供应单元，其提供一清除气体给每一反应室；以及

多个加热承载模块，其分别设置于该多个反应室内，每一个加热承载模块通过一升降运动以选择移动至该第一反应空间内或者是该第二反应空间内。

2.如权利要求1所述的等离子体辅助原子层沉积装置，其中每一反应室上还具有一延伸部，其分别与该清除气体供应单元以及该第二气体供应单元相耦接，每一延伸部的外围设置有一等离子体产生装置，该等离子体产生装置为一远端等离子体产生装置。

3.如权利要求1所述的等离子体辅助原子层沉积装置，其中每一个反应室内具有一槽口，以及该阻隔单元还具有至少一遮板以及一旋转模块，该旋转模块通过一旋转运动控制该至少一遮板经由该槽口进入该反应室或离开该反应室，以分隔或连通该第一反应空间以及该第二反应空间。

4.如权利要求1所述的等离子体辅助原子层沉积装置，其中该阻隔单元还具有多个开口调节模块，其分别设置于每一个反应室内，每一个开口调节模块具有多个叶片，以通过该调整运动将该第一反应空间以及该第二反应空间分隔或者是使该第一反应空间与该第二反应空间连通。

5.如权利要求1所述的等离子体辅助原子层沉积装置，其中该反应室与该延伸部相连接的位置上具有一曲部结构。

6.如权利要求1所述的等离子体辅助原子层沉积装置，其中每一第一反应空间的一侧与该第一气体供应单元相耦接，且在每一第一反应空间上还具有一抽气通道。

7.如权利要求1所述的等离子体辅助原子层沉积装置，其中该多个反应室呈一横式直线排列，该阻隔单元具有多个遮板，其设置于一传动带体上，相邻的遮板间具有一距离。

8.一种等离子体辅助原子层沉积装置，其包括有：

一对反应室，其分别具有一第一反应空间以及一第二反应空间；

遮板，其通过一转动运动，而在该对反应室间产生一往复切换移动，使该遮板进入其中一反应室时，将该第一反应空间以及该第二反应空间分隔且使另一反应室的该第一反应空间以及该第二反应空间连通，或者是使该第一反应空间与该第二反应空间连通且将另一反应室的该第一反应空间以及该第二反应空间分隔；

第一气体供应单元，其提供一第一制作工艺气体给该第一反应空间；

第二气体供应单元，其提供一第二制作工艺气体给该第二反应空间；

清除气体供应单元，其提供一清除气体给该对反应室；以及

一对加热承载模块，其分别设置于该对反应室内，每一个加热承载模块通过一升降运动以选择移动至该第一反应空间内或者是该第二反应空间内。

9.如权利要求8所述的等离子体辅助原子层沉积装置，其中每一反应室还具有一延伸部，其分别与该清除气体供应单元以及该第二气体供应单元相耦接，每一延伸部的外围设置有一等离子体产生装置，该等离子体产生装置为一远端等离子体产生装置。

10.如权利要求8所述的等离子体辅助原子层沉积装置，其中该反应室与该延伸部相连接的位置上具有一曲部结构。

11.如权利要求1所述的等离子体辅助原子层沉积装置，其中每一第一反应空间的一侧与该第一气体供应单元相耦接，且在每一第一反应空间上还具有一抽气通道。