[发明专利]NMOS晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种NMOS晶体管的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极介电层和位于栅极介电层上的栅极；在栅极两侧的半导体衬底内形成源/漏区；其特征在于，

在形成源/漏区期间，在所述栅极中注入氟离子和磷离子；

还包括：在形成源/漏区后，依次进行快速尖峰退火和激光脉冲退火。

2.根据权利要求1所述的NMOS晶体管的制造方法，其特征是，所述形成源/漏区依次包括：轻掺杂离子注入；在所述栅极中注入氟离子和磷离子；重掺杂离子注入。

3.根据权利要求1所述的NMOS晶体管的制造方法，其特征是，所述形成源/漏区依次包括：轻掺杂离子注入；重掺杂离子注入；在所述栅极中注入氟离子和磷离子。

4.根据权利要求1所述的NMOS晶体管的制造方法，其特征是，所述形成源/漏区依次包括：在所述栅极中注入氟离子和磷离子；轻掺杂离子注入；重掺杂离子注入。

5.根据权利要求2或3或4所述的NMOS晶体管的制造方法，其特征是，所述轻掺杂离子注入包括：以栅极为掩模，在半导体衬底内注入磷离子或砷离子以形成轻掺杂源/漏区；当轻掺杂离子注入的离子为磷离子时，离子注入的能量范围为1KeV至20KeV，离子注入的剂量范围为1E14/cm²至1E15/cm²；当轻掺杂离子注入的离子为砷离子时，离子注入的能量范围为2KeV至35KeV，离子注入的剂量范围为1E14/cm²至1E15/cm²。

6.根据权利要求2或3或4所述的NMOS晶体管的制造方法，其特征是，所述重掺杂离子注入包括：在所述栅极介电层和所述栅极的相对两侧形成隔离侧壁；以所述栅极和所述隔离侧壁为掩模，在半导体衬底内注入磷离子或砷离子以形成重掺杂源/漏区；当在半导体衬底内注入磷离子以形成重掺杂源/漏区时，离子注入的能量范围为8KeV至30KeV，离子注入剂量范围为1.5E14/cm²至6E15/cm²；当在半导体衬底注入砷离子以形成重掺杂源/漏区时，离子注入的能量范围为8KeV至50KeV，离子注入剂量范围为1.5E14/cm²至6E15/cm²。

7.根据权利要求1所述的NMOS晶体管的制造方法，其特征是，在所述栅极中注入氟离子和磷离子包括：先在所述栅极中注入磷离子，然后在所述栅极中注入氟离子。

8.根据权利要求7所述的NMOS晶体管的制造方法，其特征是，所述氟离子的注入能量范围为2KeV至20KeV，注入剂量范围为1E14/cm²至3E15/cm²；所述磷离子的注入能量范围为3KeV至10KeV，注入剂量范围为1E15/cm²至5E15/cm²。

9.根据权利要求1所述的NMOS晶体管的制造方法，其特征是，在所述栅极中注入氟离子和磷离子包括：在所述栅极中同时注入氟离子和磷离子。

10.根据权利要求9所述的NMOS晶体管的制造方法，其特征是，在所述栅极中同时注入氟离子和磷离子包括：在所述栅极中直接注入PF₃和PF₅中的一种或其组合，注入能量范围为3KeV至10KeV，注入剂量范围为1E15/cm²至6E15/cm²。

11.根据权利要求1所述的NMOS晶体管的制造方法，其特征是，所述快速尖峰退火的温度峰值范围为900℃至1070℃，退火时间为5秒至60秒。

12.根据权利要求1所述的NMOS晶体管的制造方法，其特征是，所述激光脉冲退火的温度峰值范围为1200℃至1300℃。