[发明专利]一种GaN基发光二极管无效
| 申请号： | 201010512793.7 | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102456787A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 吴东海;李鹏飞 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN基发光二极管，它包括基板(11)以及置于基板(11)上方的依次由N型半导体层(21)、发光结构层(22)、P性半导体层(23)和透明导电层(31)相叠加组成的GaN基发光二极管材料(10)，透明导电层(31)上的一端置有P型电极(41)，N型半导体层(21)上、与P型电极(41)相对的另一端置有N型电极(42)；其特征在于，所述GaN基发光二极管材料(10)的外围置有一圈或多圈能提高发光二极管侧面出光效率的光子晶体的图形化微结构(51)，图形化微结构(51)的顶端介于N型半导体层(21)底端与P性半导体层(23)顶端之间。
2.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管，其特征在于，所述图形化微结构(51)的侧壁截面呈波浪状、圆弧状、凹凸状或者锯齿状。
3.根据权利要求1或2所述的GaN基发光二极管，其特征在于，所述图形化微结构(51)的横向厚度呈周期性或者非周期性变化。
4.根据权利要求3所述的GaN基发光二极管，其特征在于，所述图形化微结构(51)为彼此分隔独立的结构或者连为一体的结构。
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