[发明专利]太阳能电池及其电极层结构无效

专利信息
申请号: 201010512930.7 申请日: 2010-10-20
公开(公告)号: CN102456481A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 吴文蒂 申请(专利权)人: 奇菱科技股份有限公司
主分类号: H01G9/04 分类号: H01G9/04;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/42;H01L51/44
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 及其 电极 结构
【说明书】:

【技术领域】

本发明涉及一种电极层及太阳能电池,特别涉及一种多重电极层及具有该多重电极层的太阳能电池。

【背景技术】

太阳能电池是一种利用太阳光将光能转换为电能的光电半导体元件,通过光照,瞬间就可输出电压及电流。太阳能电池发电是一种可再生的绿色发电方式,发电过程中不会产生二氧化碳等有害气体,可减少对于环境所造成污染。按照其制作材料的不同可分为硅基半导体电池、光敏染料电池、有机材料电池等。

其中,光敏染料太阳能电池(dye sensitized solar cell,简称DSSC)和一般光伏特电池不同的是,DSSC之上基板通常是玻璃或透明可弯曲的聚合箔(polymer foil)。玻璃上有一层透明导电的氧化物如掺杂氟之氧化锡(SnO2:F,简称FTO)或铟锡氧化物(ITO)。在透明导电物上具有一层约10微米厚的孔洞材料,一般为TiO2粒子(约10~20nm)组成之奈米孔洞薄膜。接着在奈米孔洞薄膜上涂上一层染料如聚吡啶基之钌错合物(ruthenium polypyridyl complex),即形成所谓的上基板。下基板通常亦是玻璃或透明可弯曲的聚合箔,玻璃上有一层透明导电的氧化物如FTO外,一般为镀上一层铂作为电解质反应的催化物(platinum catalyst)。上下基板之间,则注入含有碘化物之电解质(electrolyte)。虽然目前DSSC的最高转换效率约12%左右,但是制造过程简单,所以一般认为DSSC的问市将大幅降低太阳电池的生产成本,同时伴随的效益亦能降低每度电的电费。

在美国公告之第US 7,094,441号专利中,以溶胶-凝胶法(sol-gel)制备TiO2电极。上述作法极易残留烷氧基(alkoxy)于TiO2电极层中,造成电子不易传输。

另一种现有方法先以无机酸根改质TiO2粒子表面,接着以静电斥力将改质之TiO2粒子吸附于基板上。然而上述作法会有多余的无机酸根残留造成电子不易传输,且吸附之TiO2层与基板之间并无化学键结,极易因外力碰撞造成分层、龟裂、甚至剥落的问题。

在美国公开第US2006/0107994号申请案中,以粘着剂(binder)搭配TiO2粒子,形成浆料后涂布于基板上。接着以高压去除浆料中的粘着剂。但,此高压工艺无法应用于大面积之基板。

另一种去除浆料中粘着剂的方法为高温烧结,但高温烧结无法应用于热稳定性较差的软式基板上。

上述工艺都面临到一个问题,即无法形成一个能兼具于低温、常压工艺、且能制作出大面积、产能好、传输效能佳的电极层,特别是作为电化学式太阳能电池之阳极。综上所述,目前极需新的方法及结构用以形成太阳电池电极,俾利降低工艺时间及成本。

【发明内容】

本发明提供一种电极层结构,包括第一基板;以及第一n型层位于第一基板上,第一n型层包含多个第一金属氧化物与多个第一n型导电高分子交联;其中至少部分第一n型导电高分子与第一金属氧化物之表面之间具有化学键结,至少部分第一n型导电高分子与第一基板表面之间具有化学键结。

本发明亦提供一种太阳能电池,包括第一基板;第一n型层,第一n型层包含多个第一金属氧化物与多个第一n型导电高分子交联,至少部分第一n型导电高分子与第一金属氧化物之表面之间具有化学键结,至少部分第一n型导电高分子与第一基板表面之间具有化学键结;第二基板,相对配置于第一基板;以及第一电解质层,电解质层填充于第一基板与第二基板之间。

本发明亦提供另一种太阳能电池,包括第一基板;至少一电极层,电极层包含:第一n型层,第一n型层包含多个第一金属氧化物与多个第一n型导电高分子交联,至少部分第一n型导电高分子与第一金属氧化物之表面之间具有化学键结,至少部分第一n型导电高分子与第一基板表面之间具有化学键结;第一电解质层位于第一n型层上,且第一电解质层与第一n型层之间具有p-n接面;第一触媒层,位于第一电解质层上;第二n型层位于第一触媒层上,第二n型层包含多个第二金属氧化物与多个第二n型导电高分子交联,至少部分第二n型导电高分子与第二金属氧化物之表面之间具有化学键结,至少部分第二n型导电高分子与第一触媒层表面之间具有化学键结;第二电解质层位于第二n型层上,且第二电解质层与第二n型层之间具有p-n接面;第二触媒层,配置于第二电解质层之上;以及第二基板,相对配置于第一基板。

【附图说明】

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