[发明专利]磁性传感器电路

说明书

技术领域

本发明涉及与具有内部电阻的电源连接的磁性传感器电路。

背景技术

对传统磁性传感器电路进行说明。图7是表示传统磁性传感器电路的图。

在传统磁性传感器电路中，通过对霍尔元件61的磁作用，在霍尔元件61产生霍尔电压。放大电路62放大该霍尔电压。基准电压电路63生成基准电压Vref。比较电路64比较已放大的霍尔电压Vh与基准电压Vref。这时，例如当已放大的霍尔电压Vh高于基准电压Vref时，输出电压VOUT成为高电平，而低时，成为低电平(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2005-260629号公报(图5)

可是，在需要低耗电的磁性传感器电路时，可以考虑如专利文献1的图1所公开那样的取样/保持电路(未图示)追加到放大电路62的后级的技术。这时，在取样期间，取样/保持电路对已放大的霍尔电压Vh进行取样，在其后的比较期间，比较电路64对取样的电压Vh与基准电压Vref进行比较。在该比较期间中，磁性传感器电路被控制成为停止对霍尔元件61及放大电路62的供电，从而可以使磁性传感器电路的耗电相应地降低。

在此，电源50具备内部电阻51及内部电源52，磁性传感器电路的电源电压VDD基于内部电阻51的电阻值Rvdd和主由霍尔元件61及放大电路62造成的磁性传感器电路的消耗电流的电流值Idd，电压从内部电源52的内部电源电压VDDPS电压下降到电压(VDDPS-Rvdd·Idd)。

在上述的技术中，在取样期间，主要因霍尔元件61及放大电路62被供电而电源电压VDD电压下降，但在比较期间，由于霍尔元件61及放大电路62没有被供电，电源电压VDD几乎不会降低。因而，比较电路21对电源电压VDD电压下降的状况下取样的电压Vh和电源电压VDD几乎没有电压下降的状况下的基准电压Vref进行比较。

这时，若设霍尔元件61的磁电转换系数为KH，则下述的公式(21)～(23)成立。

VDD＝VDDPS-Rvdd·Idd       (21)

KH∝VDD                    (22)

Vref∝VDDPS                (23)

此外，从公式(22)，公式(24)也成立。

Vh∝VDD                   (24)

检测对霍尔元件61的磁作用时的磁检测电平Bdet，由下述的公式(25)表示。

Bdet＝Vref/KH        (25)

因而，从公式(22)～(25)，可知磁电转换系数KH与电压下降的电源电压VDD成比例，从而基于磁作用的电压Vh也与电压下降的电源电压VDD成比例，与之相对，基准电压Vref与几乎没有电压下降的电源电压VDD(内部电源电压VDDPS)成比例，所以磁检测电平Bdet与内部电阻51的电阻值Rvdd相关。

发明内容

本发明鉴于上述课题而构思，提供磁检测电平不易与电源的内部电阻的电阻值相关且低耗电的磁性传感器电路。

本发明为了解决上述课题，提供一种磁性传感器电路，该磁性传感器电路与具有内部电阻的电源连接，其特征在于，包括：通过磁作用产生霍尔电压的霍尔元件；放大所述霍尔电压的放大电路；生成基准电压的基准电压电路；在取样期间对已放大的所述霍尔电压及基于所述基准电压的电压分别进行取样的取样/保持电路；在比较期间对取样后的已放大怕所述霍尔电压与取样后的基于所述基准电压的电压进行比较并将基于比较结果的输出电压输出的比较电路；以及在所述取样期间至少将所述霍尔元件及所述放大电路控制在激活状态，并在所述比较期间至少将所述比较电路控制在激活状态的控制电路。

(发明效果)

在本发明中，比较电路对在主要因霍尔元件及放大电路被供电而使电源电压在电压下降的状况下取样后的已放大的霍尔电压与在此状况下取样后的基于基准电压的电压进行比较。这些电压，两者都基于因内部电阻而电压下降的电源电压而生成。因而，磁检测电平不易与内部电阻的电阻值相关。

此外，例如能够在取样期间使比较电路不工作，而在比较期间能够使霍尔元件及放大电路不工作，因此磁性传感器电路的耗电相应地降低。

附图说明

图1是表示第一实施方式的磁性传感器电路的图。

图2是表示第一实施方式的磁性传感器电路的放大电路的图。

图3是表示第一实施方式的磁性传感器电路的动作的时序图。

图4是表示第二实施方式的磁性传感器电路的图。

图5是表示第二实施方式的磁性传感器电路的放大电路的图。