[发明专利]发光器件及其制造方法、发光器件封装和照明系统

说明书

本申请要求2009年10月21日提交的韩国专利申请No.10-2009-0100071的优先权，其内容在此通过引用整体并入。

技术领域

本实施例涉及发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。

背景技术

最近，关于采用发光二极管(LED)作为发光器件的器件，已经进行了各种研究和探索。

LED通过使用化合物半导体的特性将电能转化为光。LED具有第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层的堆叠结构，并且当电力被施加到其时通过有源层发光。

第一电极层形成在第一导电半导体层上并且第二电极层形成在第二导电半导体层上。

同时，诸如ITO层的透明电极层形成在第二导电半导体层上以实现电流扩散效果并且第二电极层形成在透明电极层上。

然而，由于透明电极层和第二电极层之间的粘附力弱，所以第二电极层可能与透明电极层分离。

发明内容

实施例提供具有新颖的结构的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。

实施例提供具有与第二电极层牢固地耦合的透明电极层的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。

根据实施例的发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在第一和第二导电半导体层之间的有源层；第一导电半导体层上的第一电极；第二导电半导体层上的透明电极层；以及透明电极层上的第二电极，其中第二电极被紧固到透明电极。

根据实施例的发光器件封装包括：主体；主体上的第一和第二封装电极；发光器件，该发光器件电气地连接至主体上的第一和第二封装电极；以及模制组件，该模制组件包围主体上的发光器件，其中该发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在第一和第二导电半导体层之间的有源层；第一导电半导体层上的第一电极；第二导电半导体层上的透明电极层；以及透明电极层上的第二电极，其中该第二电极被紧固到透明电极。

根据实施例的照明系统包括发光模块，该发光模块包括衬底和安装在衬底上作为光源的至少一个发光器件，其中该发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在第一和第二导电半导体层之间的有源层；第一导电半导体层上的第一电极；第二导电半导体层上的透明电极层；以及透明电极层上的第二电极，其中该第二电极被紧固到透明电极。

根据实施例的制造发光器件的方法包括下述步骤：形成包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层的发光结构；在第二导电半导体层上形成透明电极层；以及形成被紧固到透明电极层的电极。

附图说明

图1至图5是示出用于制造根据第一实施例的发光器件的过程的截面图；

图6至图11是示出用于制造根据第二实施例的发光器件的过程的截面图；

图12是根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图；

图13是根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的背光单元的分解透视图；以及

图14是根据本实施例的包括发光器件或者发光器件封装的照明单元的透视图。

具体实施方式

在实施例的描述中，应该理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一个衬底、另一个层(或膜)、另一个区域、另一个垫或另一个图案“上”或“下”时，它可以“直接”或“间接”在另一个衬底上、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。

为了方便或清楚起见，附图中所示的每个层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。

在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。

图1至图5是示出用于制造根据第一实施例的发光器件的过程的截面图。

参考图5，根据第一实施例的发光器件包括具有顺序地形成在生长衬底10上的第一导电半导体层20、有源层20以及第二导电半导体层40的发光结构。第一电极70形成在第一导电半导体层20上并且透明电极层50和第二电极60形成在第二导电半导体层40上。

第一生长衬底10可以包括Al₂O₃、Si、SiC、GaAs、ZnO、MgO、GaN、Ga₂O₃或者玻璃中的至少一种。

发光结构可以包括GaN基半导体层。通过使用GaN、InGaN、AlGaN、或者InAlGaN能够形成发光结构。