[发明专利]一种新型大功率丁类音频功率放大器

权利要求书

1.一种新型大功率丁类音频功率放大器，该种新型大功率丁类音频功率放大器包括脉冲宽度调制器，高压功率开关、低通滤波器、电感和电容器、参考波产生器、反馈网络、第一电压源AVdd、第二电压源Vdd、电平移位器、晶体管MP1，晶体管MP2，晶体管MP3，晶体管MP4，晶体管MP5，晶体管MN1，晶体管MN2，晶体管MN3，其特征是：所述的电平移位器的输入端与所述高压功率开关的输出端连接，该电平移位器的输出端与所述脉冲宽度调制器的输入端连接。

2.根据权利要求1所述的一种新型大功率丁类音频功率放大器，其特征是：所述的第一电压源Avdd的电压设置在3.3伏至5伏之间，所述第二电压源Vdd的电压设置在8伏至30伏之间。

3.根据权利要求1所述的一种新型大功率丁类音频功率放大器，其特征是：所述参考波产生器与脉冲宽度调制器相连接。

4.根据权利要求1所述的一种新型大功率丁类音频功率放大器，其特征是：所述电平移位器包括：晶体管MP1，晶体管MP2，晶体管MP3，晶体管MP4，晶体管MP5，晶体管MN1，晶体管MN2，以及晶体管MN3，所述晶体管MP5的源极接所述第二电压源Vdd；所述晶体管MN3的源极接参考地电位；所述晶体管MP5的漏极接所述晶体管MN3的漏极，输入信号接所述晶体管MP5和所述晶体管MN3的栅极；所述晶体管MP4和所述晶体管MN2的栅极接所述晶体管MP5和晶体管MN3的漏极；所述晶体管MP1和所述晶体管MP2的源极接第一电压源Avdd；所述晶体管MP1的栅极接所述晶体管MP4和所述晶体管MN2的漏极；所述晶体管MP2的栅极接所述晶体管MP3和所述晶体管MN1的漏极；所述晶体管MP1的漏极接所述晶体管MP3的源极；所述晶体管MP2的漏极接所述晶体管MP4的源极；所述晶体管MP3的漏极与所述晶体管MN1的漏极相连，所述晶体管MP4和所述晶体管MN2的漏极相连；所述晶体管MP3和所述晶体管MN1的栅极连接在一起接输入信号；所述晶体管MN1和所述晶体管MN2的源极接参考地电位，所述晶体管MP1、所述晶体管MP2、所述晶体管MP3、所述晶体管MP4的衬底接所述第一电压源Avdd，所述晶体管MP5的衬底接所述第二电压源Vdd，所述晶体管MN1、所述晶体管MN2、所述晶体管MN3的衬底接参考地电位。

5.根据权利要求4所述的一种新型大功率丁类音频功率放大器，其特征是：所述晶体管MP1、晶体管MP2、晶体管MP3、晶体管MP4、以及晶体管MP5为PMOS晶体管，所述晶体管MN1、晶体管MN2、晶体管MN3为NMOS晶体管。

6.根据权利要求1所述的一种新型大功率丁类音频功率放大器，其特征是：，所述低通滤波器包括：电感和电容器，所述电感的一端接信号输入端，所述电感的另一端接信号输出端，所述电容器的一端接地，所述电容器的另一端接信号输出端。