[发明专利]离心清洗高密度器件的工艺方法无效

专利信息
申请号: 201010514137.0 申请日: 2010-10-19
公开(公告)号: CN102233339A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 阎德劲 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十研究所
主分类号: B08B3/04 分类号: B08B3/04;B08B3/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610036 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 离心 清洗 高密度 器件 工艺 方法
【权利要求书】:

1.一种离心清洗高密度器件的工艺方法,包括如下步骤,首先将待洗高密度器件印制板组装件(PCBA)浸泡于离心清洗设备中的清洗溶液中,浸泡3-5分钟,然后将待洗PCBA用旋转臂夹持后,伸入密封腔体内,浸入清洗溶液内,实施正、反循环旋转进行离心清洗,正转/反转数次后,随后,在同一离心清洗设备中,分阶段对上述PCBA上的元器件进行喷淋清洗和漂洗工序。

2.如权利要求1所述的离心清洗高密度器件的工艺方法,其特征在于,在离心清洗工序中,离心清洗设备的顺时针方向旋转速度为100-300转/分种,时间:1-2分钟,逆时针方向旋转速度为80-200转/分种,时间:2-3分钟。

3.如权利要求1或2所述的离心清洗高密度器件的工艺方法,其特征在于,在离心清洗工序中,离心清洗设备的顺时/逆时旋转的循环次数为3-5次。

4.如权利要求1所述的离心清洗高密度器件的工艺方法,其特征在于,当浸泡在清洗溶液中的电路板组装件旋转时,元件的下层空间的施力的方向在同一平面上。

5.如权利要求1所述的离心清洗高密度器件的工艺方法,其特征在于,在液面下实施顺时针和逆时针交替旋转离心清洗,清洗力平行施加于BGA、CSP器件底部及PCB顶部,以清除掉器件隐蔽处的残留物。

6.如权利要求1所述的离心清洗高密度器件的工艺方法,其特征在于,在喷淋清洗工序中,增加喷嘴数目,加大喷洒压力,利用喷淋压力垂直喷淋到PCBA上。

7.利要求1所述的离心清洗高密度器件的工艺方法,其特征在于,当旋转印制板组装件不再浸泡在溶液中时,推进液体进入元件空间的作用力将元件上的液体脱干,然后在热空气中旋转,以清除残留物质。

8.如权利要求1所述的离心清洗高密度器件的工艺方法,其特征在于,交试验法对工艺参数进行优化,获取合理有效的工艺参数。

9.权利要求8述的离心清洗高密度器件的工艺方法,其特征在于,所述正交试验包括:取旋转速度、旋转时间、正/反转次数、喷淋压力四种因子,每种因子取五个水平,选用L25(56)正交试验表安排试验,考察洁净度指标:离子残留物含量<1.56μg/cm2(NaCl当量),表面绝缘电阻>2×106Ω.cm。

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