[发明专利]一种片式氧传感器芯片的制备方法有效

专利信息
申请号: 201010514399.7 申请日: 2010-10-21
公开(公告)号: CN102455311A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 黄志彬;向其军 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: G01N27/26 分类号: G01N27/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518118 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 片式氧 传感器 芯片 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种片式氧传感器芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)在加热器基片上依次印刷绝缘层、电极、绝缘层,烘干得到第一片层;

2)在参比气基片上切割参比气通道,并在参比气通道内填充保型材料,得到第二片层;所述保型材料中含有聚丙烯和石墨;

3)在氧化锆敏感基体的两面分别印刷电极,在一面的电极上继续印刷多孔保护层,烘干得到第三片层;

4)将第一片层的绝缘层的一面朝上,第三片层的多孔保护层的一面朝上,将第一片层、第二片层、第三片层从下到上依次叠放,热压、共烧,得到片式氧传感器芯片。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,以保型材料的质量为基准,聚丙烯的含量为80-95wt%,石墨的含量为5-20wt%。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,聚丙烯的数均分子量为300000-600000,平均粒径为0.3-0.8mm;石墨的平均粒径为200-500目。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,制备所述保型材料的方法包括将聚丙烯和石墨混合均匀,加热熔化后注塑成型,然后将成型样品切割成与参比气通道匹配的形状。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,注塑成型的温度为100-130℃。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述加热器基片、参比气基片和氧化锆敏感基体均为氧化锆流延薄片。

7.根据权利要求1或6所述的制备方法,其特征在于,印刷绝缘层所采用的绝缘层浆料为含有氧化铝的有机浆料。

8.根据权利要求1或6所述的制备方法,其特征在于,印刷电极所采用的电极浆料为含有铂、氧化铝和氧化锆的有机浆料。

9.根据权利要求1或6所述的制备方法,其特征在于,印刷多孔保护层所采用的多孔保护层浆料为含有镁铝尖晶石的有机浆料。

10.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,热压的温度为60-90℃,热压的压力为500-2000kg;共烧的温度为1400-1600℃,共烧的时间为1-4h。

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