[发明专利]NFC系统中询问器的模拟前端电路有效

专利信息
申请号: 201010514568.7 申请日: 2010-10-21
公开(公告)号: CN102457306A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 朱红卫;杜涛;彭敏 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: H04B5/02 分类号: H04B5/02
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: nfc 系统 询问 模拟 前端 电路
【权利要求书】:

1.一种NFC系统中询问器的模拟前端电路,其特征是,包括依次相连的接收天线、箝位电路、第一滤波器、第一混频器、第二混频器、第一放大电路、第二滤波器、第二放大电路、第三滤波器、第三放大电路;

所述接收天线接收收发器发射的调制信号,所述调制信号的载波频率为a1;

所述箝位电路将所述调制信号中的负电平消除;

所述第一滤波器为低通滤波器,截止频率高于a1;

所述第一混频器和第二混频器将所述调制信号的载波频率从a1降低为a2;

所述第二滤波器为低通滤波器,截止频率高于a2但小于a1;

所述第三滤波器为高通滤波器,截止频率低于a2;

所述第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路将所述调制信号放大。

2.根据权利要求1所述的NFC系统中询问器的模拟前端电路,其特征是,所述箝位电路为一个二极管,所述二极管的阴极接调制信号,阳极接地。

3.根据权利要求1所述的NFC系统中询问器的模拟前端电路,其特征是,所述第一混频器由第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第一反相器组成;

其中第一PMOS晶体管的漏极和第一NMOS晶体管的漏极相连,作为第一混频器的输入端;

第一反相器的输入端接第一NMOS晶体管的栅极;

第一反相器的输出端接第一PMOS晶体管的栅极;

第一PMOS晶体管的源极和第一NMOS晶体管的源极相连,作为第一混频器的输出端;

第一时钟信号连接第一NMOS晶体管的栅极。

4.根据权利要求1所述的NFC系统中询问器的模拟前端电路,其特征是,所述第二混频器由第二PMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第二反相器组成;

其中第二PMOS晶体管的漏极和第二NMOS晶体管的漏极相连,作为第二混频器的输入端;

第二反相器的输入端接第二NMOS晶体管的栅极;

第二反相器的输出端接第二PMOS晶体管的栅极;

第二PMOS晶体管的源极和第二NMOS晶体管的源极相连,作为第二混频器的输出端;

第二时钟信号连接第二NMOS晶体管的栅极。

5.根据权利要求1所述的NFC系统中询问器的模拟前端电路,其特征是,所述第一放大电路是一个放大器,所述放大器的正输入端作为调制信号的输入端,负输入端与输出端相连。

6.根据权利要求1所述的NFC系统中询问器的模拟前端电路,其特征是,所述第二放大电路由第二放大器、电阻四和电阻五组成,第二放大器的输出端通过串联的电阻四和电阻五接地,第二放大器的正输入端连接第二滤波器的输出,第二放大器的负输入端通过电阻五接地。

7.根据权利要求1所述的NFC系统中询问器的模拟前端电路,其特征是,所述第三放大电路由第三放大器、电阻六和电阻七组成,第三放大器的输出端通过串联的电阻六和电阻七接地,第三放大器的正输入端连接第三滤波器的输出,第三放大器的负输入端通过电阻七接地。

8.根据权利要求1所述的NFC系统中询问器的模拟前端电路,其特征是,所述第一混频器由第一时钟信号驱动,第二混频器由第二时钟信号驱动,第一时钟信号和第二时钟信号的相位差为180度。

9.根据权利要求1所述的NFC系统中询问器的模拟前端电路,其特征是,所述a1为13.56MHz,a2为847KHz。

10.根据权利要求1所述的NFC系统中询问器的模拟前端电路,其特征是,所述第一滤波器的截止频率为15MHz,所述第二滤波器的截止频率为900KHz,所述第三滤波器的截止频率为800KHz。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司,未经上海华虹NEC电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010514568.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top