[发明专利]发射极掺杂多晶硅的制造方法有效
| 申请号： | 201010514579.5 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102456571A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 缪燕 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射极 掺杂 多晶 制造 方法 | ||
1.一种发射极掺杂多晶硅的制造方法，该方法进行之前硅片上已由介质层形成发射极窗口，发射极窗口中的基区表面已具有一层氧化硅；其特征是，所述方法包括如下步骤：
第1步，采用腔体减压化学气相淀积工艺在发射极窗口中的氧化硅之上交替地淀积非掺杂的多晶硅和掺杂的多晶硅；
第2步，采用快速热退火工艺，使所淀积的非掺杂的多晶硅和掺杂的多晶硅中的掺杂物分布均匀。
2.根据权利要求1所述的发射极掺杂多晶硅的制造方法，其特征是，所述方法第1步具体包括：
第1.1步，采用减压化学气相淀积工艺在发射极窗口中的氧化硅之上先淀积一层非掺杂的多晶硅；
第1.2步，在第1.1步所淀积的非掺杂的多晶硅之上再采用减压化学气相淀积工艺淀积一层掺杂的多晶硅；
重复上述第1.1步和第1.2步；
第1.3步，在前一步所淀积的掺杂的多晶硅之上再采用减压化学气相淀积工艺淀积一层非掺杂的多晶硅。
3.根据权利要求1所述的发射极掺杂多晶硅的制造方法，其特征是，所述方法第1步中，以减压化学气相淀积工艺淀积掺杂多晶硅时，压力为20～100Torr。
4.根据权利要求3所述的发射极掺杂多晶硅的制造方法，其特征是，所述方法第1步中，以减压化学气相淀积工艺淀积掺杂多晶硅时，压力为60～100Torr。
5.根据权利要求1所述的发射极掺杂多晶硅的制造方法，其特征是，所述方法第1步中，以减压化学气相淀积工艺淀积掺杂多晶硅时，温度为620～700℃。
6.根据权利要求5所述的发射极掺杂多晶硅的制造方法，其特征是，所述方法第1步中，以减压化学气相淀积工艺淀积掺杂多晶硅时，温度为660～700℃。
7.根据权利要求1所述的发射极掺杂多晶硅的制造方法，其特征是，所述方法第1步中，以减压化学气相淀积工艺淀积掺杂多晶硅时，生长气源为硅烷，载气为氢气，掺杂气体为AsH3。
8.根据权利要求1所述的发射极掺杂多晶硅的制造方法，其特征是，所述方法第2步中，快速热退火工艺的条件是：温度为1000～1050℃，时间为10～45s。
9.根据权利要求1所述的发射极掺杂多晶硅的制造方法，其特征是，
所述方法第1.1步中，所淀积的非掺杂的多晶硅厚度为150～350
所述方法第1.2步中，所淀积的掺杂的多晶硅厚度为30～100
所述方法第1.3步中，所淀积的非掺杂的多晶硅厚度为80～350
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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