[发明专利]RFID读写器的解调器电路有效
申请号: | 201010514585.0 | 申请日: | 2010-10-21 |
公开(公告)号: | CN102456144A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 杜涛;朱红卫;彭敏 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | G06K17/00 | 分类号: | G06K17/00 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | rfid 读写 解调器 电路 | ||
1.一种RFID读写器的解调器电路,其特征是,包括依次相连的接收天线;混频、滤波和放大模块;积分模块;采样、保持模块;位解码模块;
所述接收天线包括电感和电容,该电感和电容组成谐振频率为13.56MHz的LC接收电路,该LC接收电路接收来自标签的调制信号,并生成所述解调器电路的输入信号Vr,Vr是载波频率为13.56MHz的调制信号;
所述混频、滤波和放大模块包括混频器、两个滤波器和可变增益放大器;该模块对接收天线发来的13.56MHz的信号Vr下变频到847KHz,并整形、放大;13.56MHz载波信号Vr先经过第一低通滤波器,该低通滤波器的截止频率高于13.56MHz的载波频率,用于滤除信号Vr中的高次谐波;信号再经过混频器之后,下变频为带有调制信号的847KHz的子载波;847Khz载波信号再经过第二高通滤波器,该高通滤波器的截止频率低于847KHz,用来滤除低频无用信号;信号最后经过两级放大电路,放大为847Khz载波信号Vmix;
所述积分模块包括一个积分器,对于每一个847KHz载波信号Vmix,积分模块采用调制信号在共模电平一侧时正向积分,在另一侧时反向积分的方法,输出信号为Vint;有调制信号时,Vint是从共模电平开始的积分信号;没有调制信号的时候,Vint是一个与共模电平相同的直流电平;
所述采样、保持模块包括两路采样保持电路,所述两路采样、保持电路对积分信号Vint进行采样、保持,采样频率为216KHz;其中,前半周期采样结果保持一个周期得到电压VL,后半周期采样结果保持半个周期得到电压VR;
所述位解码模块包括数字逻辑电路,对VL和VR数据进行比较处理,还原标签调制的数据,得到最终解调信号Vdata。
2.根据权利要求1所述的RFID读写器的解调器电路,其特征是,所述积分模块包括四个开关电容、一个运算放大器、一个积分电容、四个时钟输入、一个信号输入端、一个积分信号输出端、一个复位信号输入端;
其中,第一开关电容由第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第一反相器组成;第一PMOS晶体管的漏极和第一NMOS晶体管的漏极相连,作为第一开关电容的输入端;第一反相器的输入端与第一NMOS晶体管的栅极相连接;第一反相器的输出端与第一PMOS晶体管的栅极相连接;第一PMOS晶体管的源极和第一NMOS晶体管的源极相连接,作为第一开关电容Switch2的输出端;第三时钟信号连接第一NMOS晶体管的栅极,控制第一开关电容是正向积分还是反向积分;
第二开关电容由第二PMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第二反相器组成;第二PMOS晶体管的漏极和第二NMOS晶体管的漏极相连,作为第二开关电容的接入端;第二反相器的输入端与第二NMOS晶体管的栅极相连;第二反相器的输出端与第二PMOS晶体管的栅极相连;第二PMOS晶体管的源极和第二NMOS晶体管的源极相连,并接地;第四时钟信号连接第二NMOS晶体管的栅极,控制第二开关电容是正向积分还是反向积分;
第三开关电容由第三PMOS晶体管、第三NMOS晶体管和第三反相器组成;第三PMOS晶体管的漏极和第三NMOS晶体管的漏极相连,作为第三开关电容的接入端;第三反相器的输入端与第三NMOS晶体管的栅极相连;第三反相器的输出端与第三PMOS晶体管的栅极相连;第三PMOS晶体管的源极和第三NMOS晶体管的源极相连,并接地;第五时钟信号连接第三NMOS晶体管的栅极,控制第三开关电容是正向积分还是反向积分;
第四开关电容由第四PMOS晶体管、第四NMOS晶体管和第四反相器组成;第四PMOS晶体管的漏极和第四NMOS晶体管的漏极相连,作为第四开关电容的输入端;第四反相器的输入端与第四NMOS晶体管的栅极相连接;第四反相器的输出端与第四PMOS晶体管的栅极相连接;第四PMOS晶体管的源极和第四NMOS晶体管的源极相连接,作为第四开关电容Switch2的输出端;第六时钟信号连接第四NMOS晶体管的栅极,控制第四开关电容是正向积分还是反向积分;
信号输入端接到第一开关电容的输入端;第一开关电容的输出端连接第二开关电容的接入端;第二开关电容的接入端通过一个电容连接到第三开关电容的接入端;第三开关电容的接入端连接第四开关电容的输入端;第四开关电容的输出端连接运算放大器的负输入端;运算放大器的正输入端通过一电阻接地;积分电容的两端分别连接运算放大器的负输入端和输出端;运算放大器的输出端接到积分信号输出端;
复位信号输入端接到第五NMOS晶体管的栅极;第五NMOS晶体管的漏极与运算放大器的负输入端相连接;第五NMOS晶体管的源极与运算放大器的输出端相连接。
3.根据权利要求1所述的RFID读写器的解调器电路,其特征是,所述第一低通滤波器的截止频率在14MHz~16MHz之间,所述第二高通滤波器的截止频率在700KHz~800KHz之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司,未经上海华虹NEC电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010514585.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。