[发明专利]一种雪崩光电二极管的保护设备及保护方法有效
| 申请号： | 201010514637.4 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102013676A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 余涛 | 申请（专利权）人： | 成都优博创技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 泰和泰律师事务所 51219 | 代理人： | 杨栩;吴姗 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 光电二极管 保护 设备 方法 | ||
1.一种雪崩光电二极管的保护设备，其特征在于，包括：
含有脉宽发生器、模数转换器一、模数转换器二的微控制器；
含有升压发生器、电流监控器的升压电源芯片；
RSSI（Received Signal Strength Indication，接收信号强度指示）快速响应网络；
阻容网络一；和
阻容网络二；
所述升压发生器的升压输出端通过阻容网络一与所述电流监控器的电压输入端相连；所述模数转换器一通过RSSI快速响应网络与所述电流监控器的第一路监控输出端相连；所述模数转换器二通过阻容网络二与所述电流监控器的第二路监控输出端相连；所述脉宽发生器与所述升压发生器相连；所述电流监控器的偏置电压输出端与所述雪崩光电二极管的阴极相连。
2.一种使用权利要求1所述设备的保护雪崩光电二极管的方法，其特征在于，包括如下步骤：
A、对所述模数转换器二进行周期性采样监控；
B、当所述升压电源芯片未处于保护状态且监控功率大于保护阈值时，调整所述脉宽发生器发出信号的占空比，控制所述升压发生器和电流监控器降低所述雪崩光电二极管的偏置电压；
C、当所述升压电源芯片处于保护状态且监控功率小于解除保护阈值时，调整所述脉宽发生器发出信号的占空比，控制所述升压发生器和电流监控器升高所述雪崩光电二极管的偏置电压至正常工作偏置电压；
D、当上位机发起采样命令时，所述模数转换器一通过RSSI快速响应网络进行采样监控，当监控功率大于保护阈值时，调整所述脉宽发生器发出信号的占空比，控制所述升压发生器和电流监控器降低所述雪崩光电二极管的偏置电压，并转入步骤A。
3.根据权利要求2所述的保护雪崩光电二极管的方法，其特征在于：所述周期性采样监控的周期为50ms。
4.根据权利要求2所述的保护雪崩光电二极管的方法，其特征在于：所述保护阈值为-4dBm。
5.根据权利要求2所述的保护雪崩光电二极管的方法，其特征在于：所述解除保护阈值为-6dBm。
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