[发明专利]碳化物复合相变存储材料及制备方法有效
| 申请号： | 201010515116.0 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102453823A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 吴良才;朱敏;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C22C32/00 | 分类号： | C22C32/00;C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化物 复合 相变 存储 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化物复合相变存储材料，其特征在于：由碳化物和至少一种相变材料复合而成。
2.根据权利要求1所述一种碳化物复合相变存储材料，其特征在于：所述碳化物将相变材料隔离成纳米量级区域，使相变材料颗粒生长受到束缚。
3.根据权利要求1所述一种碳化物复合相变存储材料，其特征在于：所述的相变材料为硫系化合物。
4.根据权利要求3所述一种碳化物复合相变存储材料，其特征在于：所述的相变材料为锗锑合金、锑碲合金或锗锑合金。
5.根据权利要求1所述一种碳化物复合相变存储材料，其特征在于：所述的碳化物为碳化四硼、二碳化三铬、碳化铪、碳化二钼、碳化铌、碳化硅、碳化钽、碳化钛、碳化钨、碳化二钨、碳化钒、碳化锆中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述一种碳化物复合相变存储材料，其特征在于：所述碳化物在碳化物复合相变存储材料中的摩尔百分比含量为5％-50％。
7.一种碳化物复合相变存储材料的制备方法，其特征在于：采用硫系化合物靶与碳化物靶共溅射形成碳化物复合相变存储材料。
8.根据权利要求7所述一种碳化物复合相变存储材料，其特征在于：溅射体为氩气，本底真空小于10-4Pa，溅射气压为0.21Pa～0.22pa，相变材料采用直流或射频溅射电源，碳化物采用射频溅射电源。
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