[发明专利]一种单层电容器及其制备方法

权利要求书

1.一种单层电容器的制备方法，包括瓷浆制备、制备陶瓷生片、烧结、清洗、在陶瓷介质主体的上下表面分别附着电极层、切割，其特征在于：所述的烧结时，陶瓷生片放置于下氧化锆板，上氧化锆板通过垫片支撑覆盖于下氧化锆板上方；所述的电极层通过真空溅射形成；所述的切割采用激光切割。

2.根据权利要求1所述的一种单层电容器的制备方法，其特征在于：所述的垫片是采用与陶瓷生片相同材料的瓷粉膜片叠压，厚度厚于陶瓷生片，并避免与陶瓷生片接触。

3.根据权利要求1所述的一种单层电容器的制备方法，其特征在于：所述的烧结曲线由升温排胶段、快速升温段、高温段、保温段、降温段组成，其中：室温-400℃为升温排胶段，升温速率控制在0.8-1.5℃/min；400℃-1000℃为快速升温段，升温速率控制在3.5-5℃/min；1000℃-最高烧温为高温段，升温速率控制在2-3℃/min；温度达到最高烧温时进入保温段，最高烧温为1250-1320℃，保温时间为2-3小时；降温段的降温速率控制在4-5℃/min。

4.根据权利要求1所述的一种单层电容器的制备方法，其特征在于：所述的真空溅射工艺在陶瓷介质主体的上、下表面分别附着单层或多层金属电极层。

5.根据权利要求1所述的一种单层电容器的制备方法，其特征在于：所述的真空溅射时，真空度控制在5×10^-3×10^-3Pa，陶瓷片温度控制在常温-60℃，靶材溅射电流控制在1A-5A。

6.根据权利要求1所述的一种单层电容器的制备方法，其特征在于：所述的激光切割的切割速率为100mm/s-200mm/s，功率为5W-12W，重复切割次数为1-4次。

7.根据权利要求1所述的一种单层电容器的制备方法，其特征在于：所述的陶瓷生片通过流延介质膜片、介质膜片叠压、层压、巴块切割制得。

8.根据权利要求7所述的一种单层电容器的制备方法，其特征在于：所述介质膜片厚度为0.02-0.05mm，所述介质膜片叠压膜时每张膜片直角转置叠加。

9.由权利要求1-8任一权利要求所述制备方法制得的单层电容器。

10.根据权利要求9所述的单层电容器，其特征在于：所述电容器的厚度为0.1-0.5mm。