[发明专利]一种单层电容器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010515312.8 申请日: 2010-10-22
公开(公告)号: CN102013320A 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: 马学静;陆亨;唐浩;宋子峰;祝忠勇 申请(专利权)人: 广东风华高新科技股份有限公司
主分类号: H01G4/00 分类号: H01G4/00;H01G4/005;H01G4/12
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人: 华辉;周端仪
地址: 526020 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 单层 电容器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种单层电容器的制备方法,包括瓷浆制备、制备陶瓷生片、烧结、清洗、在陶瓷介质主体的上下表面分别附着电极层、切割,其特征在于:所述的烧结时,陶瓷生片放置于下氧化锆板,上氧化锆板通过垫片支撑覆盖于下氧化锆板上方;所述的电极层通过真空溅射形成;所述的切割采用激光切割。

2.根据权利要求1所述的一种单层电容器的制备方法,其特征在于:所述的垫片是采用与陶瓷生片相同材料的瓷粉膜片叠压,厚度厚于陶瓷生片,并避免与陶瓷生片接触。

3.根据权利要求1所述的一种单层电容器的制备方法,其特征在于:所述的烧结曲线由升温排胶段、快速升温段、高温段、保温段、降温段组成,其中:室温-400℃为升温排胶段,升温速率控制在0.8-1.5℃/min;400℃-1000℃为快速升温段,升温速率控制在3.5-5℃/min;1000℃-最高烧温为高温段,升温速率控制在2-3℃/min;温度达到最高烧温时进入保温段,最高烧温为1250-1320℃,保温时间为2-3小时;降温段的降温速率控制在4-5℃/min。

4.根据权利要求1所述的一种单层电容器的制备方法,其特征在于:所述的真空溅射工艺在陶瓷介质主体的上、下表面分别附着单层或多层金属电极层。

5.根据权利要求1所述的一种单层电容器的制备方法,其特征在于:所述的真空溅射时,真空度控制在5×10-3×10-3Pa,陶瓷片温度控制在常温-60℃,靶材溅射电流控制在1A-5A。

6.根据权利要求1所述的一种单层电容器的制备方法,其特征在于:所述的激光切割的切割速率为100mm/s-200mm/s,功率为5W-12W,重复切割次数为1-4次。

7.根据权利要求1所述的一种单层电容器的制备方法,其特征在于:所述的陶瓷生片通过流延介质膜片、介质膜片叠压、层压、巴块切割制得。

8.根据权利要求7所述的一种单层电容器的制备方法,其特征在于:所述介质膜片厚度为0.02-0.05mm,所述介质膜片叠压膜时每张膜片直角转置叠加。

9.由权利要求1-8任一权利要求所述制备方法制得的单层电容器。

10.根据权利要求9所述的单层电容器,其特征在于:所述电容器的厚度为0.1-0.5mm。

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