[发明专利]显示面板的阵列基板及其修补方法有效
申请号: | 201010516291.1 | 申请日: | 2010-10-19 |
公开(公告)号: | CN102074503A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 吴彦锋 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 阵列 及其 修补 方法 | ||
1.一种显示面板的阵列基板的修补方法,包括:
提供一阵列基板,该阵列基板包括:
一基板;
一第一图案化导电层,设置于该基板上,该第一图案化导电层包括多条栅极线;
一第二图案化导电层,设置于该基板上,该第二图案化导电层包括多条数据线与多条共通线,其中所述多条栅极线与所述多条数据线呈交叉设置并定义出多个像素区,所述多条数据线包括一第一数据线,所述多条共通线包括一第一共通线,所述多个像素区包括一第一像素区、一第二像素区与一第三像素区,该第一像素区、该第二像素区与该第三像素区位于该第一数据线的同一侧,该第一像素区位于该第二像素区与该第三像素区之间,该第一共通线穿越该第一像素区、该第二像素区与该第三像素区,且该第一数据线具有一断线缺陷位于该第一像素区的一侧;以及
多个修补线段,设置于各该像素区内;
进行一切割工艺,于该第二像素区内的该第一共通线形成一第一切断处,以及于该第三像素区内的该第一共通线形成一第二切断处,以使该第一切断处与该第二切断处之间的该第一共通线形成一浮置的共通修补线段;以及
进行一连接工艺,电性连接该第二像素区的该修补线段、该第一数据线与该共通修补线段,以及电性连接该第三像素区的该修补线段、该第一数据线与该共通修补线段,以使得该共通修补线段作为该第一数据线的一替代线路。
2.如权利要求1所述的显示面板的阵列基板的修补方法,其中所述多个像素区另包括一第四像素区,该第四像素区与该第一像素区相邻且未与该第一像素区共用该第一数据线,所述多条共通线另包括一第二共通线位于该第四像素区内,以及一桥接共通线电性连接该第一像素区的该第一共通线与该第四像素区的该第二共通线,且该切割工艺另包括于该桥接共通线形成一第三切断处,以切断该第一共通线与该第二共通线之间的电性连接。
3.如权利要求2所述的显示面板的阵列基板的修补方法,其中该桥接共通线包括一透明桥接共通线。
4.如权利要求1所述的显示面板的阵列基板的修补方法,其中所述多个修补线段为该第一图案化导电层的一部分。
5.如权利要求2所述的显示面板的阵列基板的修补方法,其中各该修补线段与所述多条栅极线的其中之一电性连接,且该切割工艺另包括形成一第四切断处以切断该第二像素区的该修补线段与相对应的该栅极线之间的电性连接,以及形成一第五切断处以切断该第三像素区的该修补线段与相对应的该栅极线之间的电性连接。
6.如权利要求1所述的显示面板的阵列基板的修补方法,其中该切割工艺包括一激光切割工艺。
7.如权利要求1所述的显示面板的阵列基板的修补方法,其中该第二像素区的该修补线段与该第一数据线部分重叠而形成一第一交叉点,该第二像素区的该修补线段与该第一共通线部分重叠而形成一第二交叉点,该第三像素区的该修补线段与该第一数据线部分重叠而形成一第三交叉点,该第三像素区的该修补线段与该第一共通线部分重叠而形成一第四交叉点。
8.如权利要求7所述的显示面板的阵列基板的修补方法,其中该连接工艺包括进行一激光熔接工艺,以分别熔接位于该第一交叉点的该修补线段与该第一数据线以形成一第一连接点、位于该第二交叉点的该修补线段与该第一共通线以形成一第二连接点、位于该第三交叉点的该修补线段与该第一数据线以形成一第三连接点,以及位于该第四交叉点的该修补线段与该第一共通线以形成一第四连接点。
9.如权利要求1所述的显示面板的阵列基板的修补方法,其中各该像素区为一长方形区域,其具有一长轴与一短轴,且所述多条栅极线大体上平行于各该像素区的该长轴。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010516291.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造