[发明专利]具有备援行的存储器装置及其修复方法有效

专利信息
申请号: 201010516750.6 申请日: 2010-10-20
公开(公告)号: CN102456414A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 陈嘉荣;罗思觉;张钦鸿;范振嘉;张坤龙 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 备援行 存储器 装置 及其 修复 方法
【权利要求书】:

1.一种存储装置,其特征在于,包含:

一存储单元阵列安排成:

多列,其中该多列中的特定列是由列地址辨别;以及

多个主要行,其中该多个主要行中的特定主要行是由行地址辨别;

一第一备援行,其修复该阵列中的第一多个瑕疵,该第一多个瑕疵包括一第一瑕疵及一第二瑕疵于该多个主要行中的不同主要行;以及

控制电路,其利用该第一备援行修复该阵列中的该第一多个瑕疵。

2.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,该多列分割成多个列区块,且该第一瑕疵及该第二瑕疵于该多个列区块中的不同列区块。

3.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,该多列分割成多个列区块,且该第一瑕疵及该第二瑕疵于该多个列区块中的不同列区块,且该多个列区块的一数目与分割该多列的擦除区段的一数目对应。

4.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,该多列分割成多个列区块,且该第一瑕疵及该第二瑕疵于该多个列区块中的不同列区块,且该多个列区块中的特定列区块由列区块地址辨别。

5.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,该第一多个瑕疵包括一第三瑕疵,该第三瑕疵于与至少该第一瑕疵及该第二瑕疵之一相同的主要行中。

6.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,该第一多个瑕疵包括一第三瑕疵,该第三瑕疵于与该第一瑕疵及该第二瑕疵不同的主要行中。

7.根据权利要求4所述的存储装置,其特征在于,该多列分割成多个列区块,且该第一瑕疵及该第二瑕疵于该多个列区块中的不同列区块,且该多个列区块中的特定列区块由列区块地址辨别,以及该存储装置更包含:

一存储器储存关于该阵列中的该第一多个瑕疵的信息,该存储器由该第一多个瑕疵的该行地址及该列区块地址进行存取。

8.根据权利要求4所述的存储装置,其特征在于,该多行分割成多个行区块具有行区块地址,且该存储装置更包含:

一存储器储存关于该阵列中的该第一多个瑕疵的信息,该存储器由该第一多个瑕疵的该行地址及该列区块地址进行存取。

9.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,该多列分割成多个列区块,且该第一瑕疵及该第二瑕疵于该多个列区块中的不同列区块,且该多个列区块中的特定列区块由列区块地址辨别,以及该存储装置更包含:

多个主要感测放大器与该多个主要行耦接;

一第一备援感测放大器与该第一备援行耦接;以及

一存储器储存关于该阵列中的该第一多个瑕疵的信息,该存储器由该第一多个瑕疵的该行地址及该列区块地址进行存取,且该存储器指示是否选择该多个主要感测放大器或是该第一备援感测放大器作为该阵列的输出。

10.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,更包含:

一第二备援行修复该阵列中的第二多个瑕疵,该第二多个瑕疵包括一第三瑕疵及一第四瑕疵,该第三瑕疵及该第四瑕疵于该多个主要行的不同主要行中。

11.一种修复存储装置的方法,其特征在于,包含:

利用一第一备援行修复一阵列存储单元中的第一多个瑕疵,该第一多个瑕疵包括一第一瑕疵及一第二瑕疵,该第一瑕疵及该第二瑕疵于该阵列中多个主要行的不同主要行,其中该阵列安排成多列由列进行存取及该多个主要行由行地址进行存取。

12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,该第一瑕疵及该第二瑕疵于分割该多列为多个列区块的不同的列区块中。

13.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,该第一瑕疵及该第二瑕疵于分割该多列为多个列区块的不同的列区块中,且该多个列区块的一数目与分割该多列的擦除区段的一数目对应。

14.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,该第一瑕疵及该第二瑕疵于分割该多列为多个列区块的不同的列区块中,且该多个列区块中的特定列区块由列区块地址辨别。

15.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,该第一多个瑕疵包括一第三瑕疵,该第三瑕疵于与至少该第一瑕疵及该第二瑕疵之一相同的主要行中。

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