[发明专利]层叠薄膜及其波形周线控制表面传导电子发射源制作方法无效
申请号: | 201010516898.X | 申请日: | 2010-10-22 |
公开(公告)号: | CN101989520A | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
发明(设计)人: | 刘红忠;丁玉成;陈邦道;樊帆;卢秉恒 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01J9/02 | 分类号: | H01J9/02 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 薄膜 及其 波形 控制 表面 传导 电子 发射 制作方法 | ||
1.层叠薄膜及其波形周线控制表面传导电子发射源制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)采用普通光刻、溅射和剥离工艺制备金属纵向信号总线;
(2)在纵向信号总线上,采用套印光刻将电子发射源阵列图形化定位,然后通过溅射和剥离工艺制备电子发射源下发射薄膜;
(3)在下发射薄膜之上,再次套印光刻将带有矩形波纹边界的发射间隙层和上发射薄膜图形化定位;再通过溅射和剥离工艺制备发射源上下薄膜之间的间隙绝缘层和电子发射源上薄膜;
(4)在纵横总线交错的位置采用丝网印刷技术制备绝缘层;
(5)采用丝网印刷将同一行中的电子发射源上薄膜用一根银胶串联起来形成横总线,即得表面传导电子发射源。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,纵线信号总线材料是Cu或Pt或Ag或Al导电性能优良的材料。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,电子发射源上下发射薄膜是Pd或Zn薄膜,Pd或Zn薄膜厚度在50~300nm。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,间隙绝缘层是SiO2薄膜,SiO2薄膜厚度为10~200nm。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,上发射薄膜波形边界是矩形、锯齿形或其它提高有效边长的曲线波纹结构。
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