[发明专利]测试阵列基板上薄膜晶体管特性的方法和装置

权利要求书

1.一种测试阵列基板上薄膜晶体管特性的方法，其特征在于，包括：

确定薄膜晶体管的待测特性所对应的栅极测试电压信号和漏源极间测试电压信号的周期和在每个周期内的信号幅度，其中，所述栅极测试电压信号和漏源极间测试电压信号均为交流电压信号；

按照所述栅极测试电压信号和源漏极测试电压信号的周期和在每个周期内的信号幅度，在所述薄膜晶体管的栅极施加所述栅极测试电压信号，在所述薄膜晶体管的源极和漏极之间施加所述漏源极间测试电压信号；

获取所述待测特性对应的、所述薄膜晶体管的输出信号。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定薄膜晶体管的待测特性所对应的栅极测试电压信号和漏源极间测试电压信号的周期和在每个周期内的信号幅度包括：

根据用户指令，确定薄膜晶体管的待测特性所对应的栅极测试电压信号和漏源极间测试电压信号的周期和在每个周期内的信号幅度；

或者

根据薄膜晶体管所在阵列基板的分辨率，确定所述薄膜晶体管的待测特性所对应的栅极测试电压信号和漏源极间测试电压信号的周期；

根据设计所述薄膜晶体管时所采用的设计参数，确定所述薄膜晶体管的待测特性所对应的栅极测试电压信号和漏源极间测试电压信号在每个周期内的信号幅度，所述设计参数包括栅极电压值和漏源极间电压值。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述漏源极间测试电压信号施加到所述所述薄膜晶体管的源极和漏极之间之前，在所述薄膜晶体管的栅极施加栅极测试电压信号。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体管的栅极施加所述栅极测试电压信号，在所述薄膜晶体管的源极和漏极之间施加所述漏源极间测试电压信号前，所述方法还包括：

控制所述薄膜晶体管所处的环境温度，使所述环境温度与所述薄膜晶体管实际工作时的温度相同或近似相同；

通过光照射所述薄膜晶体管，所述光的亮度与所述薄膜晶体管实际工作时的背光灯亮度相同或近似相同。

5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的待测特性包括薄膜晶体管的转移特性或输出特性。

6.一种测试阵列基板上薄膜晶体管特性的装置，其特征在于，包括：

控制单元，用于确定薄膜晶体管的待测特性所对应的栅极测试电压信号和漏源极间测试电压信号的周期和在每个周期内的信号幅度，其中，所述栅极测试电压信号和漏源极间测试电压信号均为交流电压信号；

信号发生单元，用于按照所述栅极测试电压信号和源漏极测试电压信号的周期和在每个周期内的信号幅度，在所述薄膜晶体管的栅极施加所述栅极测试电压信号，在所述薄膜晶体管的源极和漏极之间施加所述漏源极间测试电压信号；

测量单元，用于获取所述待测特性对应的、所述薄膜晶体管的输出信号。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述控制单元具体用于根据用户指令，确定薄膜晶体管的待测特性所对应的栅极测试电压信号和漏源极间测试电压信号的周期和在每个周期内的信号幅度；

或者

根据薄膜晶体管所在阵列基板的分辨率，确定所述薄膜晶体管的待测特性所对应的栅极测试电压信号和漏源极间测试电压信号的周期；根据设计所述薄膜晶体管时所采用的设计参数，确定所述薄膜晶体管的待测特性所对应的栅极测试电压信号和漏源极间测试电压信号在每个周期内的信号幅度，所述设计参数包括栅极电压值和漏源极间电压值。

8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述控制单元还用于控制所述信号发生单元在所述漏源极间测试电压信号施加到所述所述薄膜晶体管的源极和漏极之间之前，在所述薄膜晶体管的栅极施加栅极测试电压信号。

9.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

温控单元，用于控制所述薄膜晶体管所处的环境温度，使所述环境温度与所述薄膜晶体管实际工作时的温度相同或近似相同；

背光灯，用于通过光照射所述薄膜晶体管，所述光的亮度与所述薄膜晶体管实际工作时的背光灯亮度相同或近似相同。