[发明专利]一种粗化表面发光二极管制作方法

权利要求书

1.一种粗化表面发光二极管制作方法，其步骤包括：

1）在蓝宝石衬底上依次生长n型氮化镓基外延层、有源层、p型氮化镓基外延层和非掺杂氮化镓基外延层；

2）在非掺杂氮化镓基外延层上定义掩膜区和粗化区，并在掩膜区的非掺杂氮化镓基外延层上镀一金属层，以覆盖整个掩膜区；

3）采用电化学湿法蚀刻粗化区的未掺杂氮化镓基外延层，蚀刻停止在p型氮化镓基外延层表面，形成粗化的须状体表面形貌，暴露出部分区域的p型氮化镓基外延层，粗化后去除掩膜金属层；

4）在粗化区的p型氮化镓基外延层和非掺杂氮化镓基外延层上制作透明导电层；

5）蚀刻去除掩膜区的未掺杂氮化镓基外延层、p型氮化镓基外延层和有源层，暴露出n型氮化镓基外延层；

6）分别在透明导电层和n型氮化镓基外延层上制作p电极和n电极。

2.根据权利要求1所述的粗化表面发光二极管制作方法，其特征在于：所述金属层材料选自Ti、Ni、Pt、Au或Cr。

3.根据权利要求1所述的粗化表面发光二极管制作方法，其特征在于：所述电化学蚀刻是在紫外光照射条件下或者加温的条件下进行。

4.根据权利要求1所述的粗化表面发光二极管制作方法，其中的电化学蚀刻溶液呈碱性。