[发明专利]半导体制造方法与系统

权利要求书

1.一种半导体制造方法，适用于一半导体装置，包括：

收集多个制造数据组，上述制造数据组分别从多个半导体工艺收集；

以一第一方法标准化各上述制造数据组，以减少上述制造数据组统计上的差异；

建立一数据库，上述数据库包括以上述第一方法标准化的上述数据组；

以一第二方法标准化上述数据库，以上述第二方法标准化后的上述数据库统计上相容于选自上述制造数据组之一；

借由标准化后的上述数据库预测选自上述半导体工艺之一的一效能，所选择的上述半导体工艺对应于所选择的上述制造数据组；以及

根据所预测的上述效能控制一半导体工艺机器。

2.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中以上述第一方法标准化的各上述制造数据组具有相近的平均值，且以上述第二方法标准化的上述数据库的平均值与所选择的上述制造数据组的平均值相近。

3.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中预测上述效能的步骤包括对应于所选择的上述半导体工艺建立一虚拟测量模型，且其中上述虚拟测量模型利用标准化后的上述数据库作为测试数据。

4.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中上述制造数据组分别对应于上述半导体工艺的制造输入程序参数，且上述制造输入程序参数选自包括抛光压力，压盘转速，研磨浆分布率，研磨浆温度和晶片温度，加热气温度，晶片温度，射频偏压反射功率，射频侧面反射功率，射频顶部反射功率，处理室压力，气体分压，以及晶片座电压，蚀刻时间，蚀刻率，进阶程序控制数据，错误检测和分类数据，品质控制数据，以及上述的组合的群组。

5.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中上述制造数据组分别对应于上述半导体工艺的多个制造输出程序参数，且上述制造输出程序参数选自包括蚀刻深度，薄片电阻，折射率，压力，粒子密度，关键维度，漏电流，临界电压，以及上述的组合的群组。

6.如权利要求1所述的半导体制造方法，还包括更新数据库，包括：

根据上述制造数据组各自的统计数据与所选择的上述制造数据组的相容性以对上述制造数据组进行分级；

加入多个第一数据点至上述制造数据组中的一第一制造数据组；以及

从上述制造数据组中的一第二制造数据组移除多个第二数据点；

其中上述第一制造数据组相较于上述第二制造数据组，对于所选择的上述制造数据组，在统计上具有较大的相容性。

7.一种半导体制造方法，适用于一半导体装置，包括：

提供对应一第一半导体工艺的一第一制造数据；

利用一第一方法转换上述第一制造数据以使上述第一制造数据统计上相容于对应一第二半导体工艺的一第二制造数据，其中上述第二半导体工艺与上述第一半导体工艺不同；

根据转换后的上述第一制造数据预测上述第二半导体工艺的一效能；以及

根据所预测的上述效能控制一半导体工艺工具。

8.如权利要求7所述的半导体制造方法，其中上述利用上述第一方法转换用以使转换后的上述第一制造数据的平均值与上述第二制造数据的平均值相近，且上述利用上述第一方法转换包括：

设定一参考目标，其中上述参考目标为上述第一制造数据的平均值以及上述第二制造数据的平均值的平均数；

执行一效应抵消程序于上述第一制造数据，其中上述效应抵消程序包括，调整上述第一制造数据直到调整后的上述第一制造数据的平均值与上述参考目标相近，其中上述调整后的上述第一制造数据成为执行效应抵消程序后的上述第一制造数据；以及

执行一效应回复程序于上述效应抵消程序执行后的上述第一制造数据，其中上述效应回复程序包括，调整上述执行效应抵消程序后的上述第一制造数据直到调整后的上述执行效应抵消程序后的上述第一制造数据与上述第二制造数据的平均值相近。

9.如权利要求7所述的半导体制造方法，其中预测上述效能的步骤包括于上述第二半导体工艺建立一虚拟测量模型，上述虚拟测量模型用以将上述转换后的上述第一制造数据作为一测试数据。