[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

p型半导体基片；

在所述p型半导体基片受光表面的相对表面上由铝的化合物形成的背面电场(BSF)层；以及

形成于所述BSF层上以与所述BSF层电连接的背面电极。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述BSF层具有负的固定电荷(NFC)的特性。

3.如权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述BSF层包括AlO薄膜、AlN薄膜和AlON薄膜中的至少一种薄膜。

4.如权利要求3所述的太阳能电池，其中，所述BSF层包括AlO薄膜，以及置于所述p型半导体基片与所述BSF层之间、由氧化物形成的保护层。

5.如权利要求3所述的太阳能电池，其中，在所述BSF层与所述背面电极之间还设置有覆盖层。

6.如权利要求3所述的太阳能电池，其中，所述BSF层包括AlN薄膜或AlON薄膜，且

所述AlN薄膜或AlON薄膜形成于所述p型半导体基片上。

7.一种制造太阳能电池的方法，包括：

制备p型半导体基片；

在所述p型半导体基片受光表面的相对表面上由铝的化合物形成背面电场(BSF)层；以及

在所述BSF层上形成背面电极以与所述BSF层电连接。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述BSF层包括AlO薄膜、AlN薄膜和AlON薄膜中的至少一种薄膜，且

通过在150-400℃的温度范围内使用原子层沉积(ALD)或者化学气相沉积(CVD)处理来实施沉积而形成所述AlO薄膜、AlN薄膜和AlON薄膜。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述BSF层的形成包括：

在放置于处理腔室内的基片支撑体上装载至少一个基片；以及

从所述基片支撑体之上重复执行顺序注入铝源气体、第一净化气体、氧化剂或氮化剂气体、以及第二净化气体的处理，以沉积所述AlO薄膜或AlN薄膜。

10.如权利要求8所述的方法，其中，所述BSF层的形成包括：

在放置于所述处理腔室内的基片支撑体上装载至少一个基片；以及

从所述基片支撑体之上重复执行顺序注入铝源气体、第一净化气体、氧化剂气体和氮化剂气体中的一种、第二净化气体、所述氧化剂气体和氮化剂气体中的另一种、以及第三净化气体的处理，以沉积所述AlON薄膜。

11.如权利要求8所述的方法，其中，所述BSF层的形成包括：

在放置于所述处理腔室内的基片支撑体上装载至少一个基片；以及

从所述基片支撑体之上重复执行顺序注入铝源气体、第一净化气体、氧化剂气体和氮化剂气体中的一种、第二净化气体、所述铝源气体、第三净化气体、所述氧化剂气体和氮化剂气体中的另一种、以及第四净化气体的处理，以沉积所述AlON薄膜。

12.如权利要求8所述的方法，其中，所述BSF层的形成包括：

在放置于所述处理腔室内的基片支撑体上沿所述基片支撑体的周边装载多个基片；以及

在相对于设置在所述基片支撑体之上的喷头相对地旋转所述基片支撑体时，重复执行从所述喷头同时注入铝源气体、第一净化气体、氧化剂或氮化剂气体、以及第二净化气体的处理，以沉积所述AlO薄膜或AlN薄膜，所述喷头包括多个气体注入单元。

13.如权利要求8所述的方法，其中，所述BSF层的形成包括：

在放置于所述处理腔室内的基片支撑体上沿所述基片支撑体的周边装载多个基片；以及

在相对于设置在所述基片支撑体之上的喷头相对地旋转所述基片支撑体时，重复执行从所述喷头同时注入铝源气体、第一净化气体、氧化剂气体和氮化剂气体中的一种、第二净化气体、所述氧化剂气体和氮化剂气体中的另一种、以及第三净化气体的处理，以沉积所述AlON薄膜，所述喷头包括多个气体注入单元。