[发明专利]晶体管结构

权利要求书

1.一种晶体管结构，其特征在于，包含：

一图案化N型透明氧化物半导体层，形成于一基板上方，作为一基极；以及

一图案化P型有机高分子半导体层，形成于该图案化N型透明氧化物半导体层上，并包含一第一部分以及一第二部分，使得该图案化N型透明氧化物半导体层与该图案化P型有机高分子半导体层的该第一部分和该第二部分分别形成一异质接面，其中该图案化P型有机高分子半导体层的该第一部分是作为一发射极，该图案化P型有机高分子半导体层的该第二部分是作为一集电极。

2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该图案化N型透明氧化物半导体层包含铟镓锌氧化物且该图案化P型有机高分子半导体层包含五环素。

3.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，还包含：

一绝缘层，形成于该基板和该图案化N型透明氧化物半导体层之间。

4.一种晶体管结构，其特征在于，包含：

一图案化P型有机高分子半导体层，形成于一基板上方，作为一基极；以及

一图案化N型透明氧化物半导体层，形成于该图案化P型有机高分子半导体层上，并包含一第一部分以及一第二部分，使得该图案化P型有机高分子半导体层与该图案化N型透明氧化物半导体层的该第一部分和该第二部分分别形成一异质接面，其中该图案化N型透明氧化物半导体层的该第一部分是作为一发射极，该图案化N型透明氧化物半导体层的该第二部分是作为一集电极。

5.根据权利要求4所述的晶体管结构，其特征在于，该图案化N型透明氧化物半导体层包含铟镓锌氧化物且该图案化P型有机高分子半导体层包含五环素。

6.根据权利要求4所述的晶体管结构，其特征在于，还包含：

一绝缘层，形成于该基板和该图案化P型有机高分子半导体层之间。

7.一种晶体管结构，其特征在于，包含：

一第一图案化导电层，形成于一基板上方，并包含一第一部分以及一第二部分，其中该第一图案化导电层的该第一部分是作为一基极导电层，该第一图案化导电层的该第二部分是作为一栅极；

一图案化N型透明氧化物半导体层，形成于该第一图案化导电层的该第一部分上；

一图案化P型有机高分子半导体层，形成于该图案化N型透明氧化物半导体层上，并包含一第一部分以及一第二部分，使得该图案化N型透明氧化物半导体层与该图案化P型有机高分子半导体层的该第一部分和该第二部分分别形成一异质接面，其中该图案化P型有机高分子半导体层的该第一部分是作为一发射极，该图案化P型有机高分子半导体层的该第二部分是作为一集电极；

一图案化栅极绝缘层，形成于该第一图案化导电层的该第二部分上；

一有源层，形成于该图案化栅极绝缘层上，使得该有源层位于该第一图案化导电层的该第二部分上方；以及

一第二图案化导电层，形成于该有源层上，并包含一第一部分以及一第二部分，其中该第二图案化导电层的该第一部分是作为一源极，该第二图案化导电层的该第二部分是作为一漏极。

8.根据权利要求7所述的晶体管结构，其特征在于，该图案化N型透明氧化物半导体层包含铟镓锌氧化物且该图案化P型有机高分子半导体层包含五环素。

9.根据权利要求7所述的晶体管结构，其特征在于，该有源层是为该图案化N型透明氧化物半导体层或该图案化P型有机高分子半导体层。

10.根据权利要求7所述的晶体管结构，其特征在于，还包含：

一绝缘层，形成于该第一图案化导电层的该第一部分和该图案化N型透明氧化物半导体层之间。