[发明专利]金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板

权利要求书

1.金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板，其特征在于它包括硅基底、硅岛、氮化硅截止层、二氧化硅绝热层、叉指信号电极、测温电极、加热电极；所述的硅基底具有通孔结构，硅基底的上表面包括通孔的顶部设有氮化硅截止层，氮化硅截止层上表面设有二氧化硅绝热层，二氧化硅绝热层上表面设有叉指信号电极、测温电极和加热电极组成的电极组，在硅基底通孔的顶部氮化硅截止层的下表面设有硅岛。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板，其特征在于所述的硅基底为双面抛光。

3.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板，其特征在于所述的通孔结构为顶部面积小、底部面积大的梯形通孔结构。

4.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板，其特征在于所述的硅基底厚度为300～400μm，所述氮化硅截止层厚度为200～350nm，所述二氧化硅绝热层厚度为500～700nm，硅岛厚度为10～50μm。

5.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板，其特征在于所述叉指信号电极的宽度为10μm，测温电极的宽度为10μm，加热电极的宽度为10μm，电极组的厚度为200nm。

6.权利要求1所述的金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板的制造工艺，其特征在于它包括如下步骤：

(1)采用低压化学气相沉积法在硅基底上表面生成氮化硅截止层；

(2)采用等离子体增强化学气相沉积法在氮化硅层上表面生成二氧化硅绝热层；

(3)在二氧化硅绝热层上表面涂光刻胶，光刻，得到电极组的形状；

(4)采用磁控溅射法在步骤(3)得到的产品的上表面生成铂薄膜层；

(5)光刻剥离法处理步骤(4)得到的产品，得到所需的电极组；

(6)在硅基底的下表面采用热氧化法生成二氧化硅掩模层；

(7)采用低压化学气相沉积法在二氧化硅掩模层下表面生成氮化硅掩模层；

(8)在氮化硅掩模层下表面涂光刻胶，光刻，采用反应离子刻蚀法将光刻后暴露出的氮化硅腐蚀掉，裸露出二氧化硅掩模层；

(9)在裸露的二氧化硅掩模层下表面涂光刻胶、光刻，再用缓冲氢氟酸溶液进行腐蚀将不需要的二氧化硅腐蚀掉，裸露出硅基底的下表面；

(10)用氢氧化钾溶液对硅基底进行腐蚀得到硅岛的初始形状；

(11)用缓冲氢氟酸溶液将步骤(10)保留的二氧化硅掩模层腐蚀掉；

(12)用氢氧化钾溶液继续对硅基底进行腐蚀从而得到所需要的硅岛。

7.根据权利要求6所述的金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板的制造工艺，其特征在于所述的硅基底厚度为300～400μm、所述氮化硅截止层厚度为200～350nm，所述二氧化硅绝热层厚度为500～700m。

8.根据权利要求6所述的金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板的制造工艺，其特征在于所述叉指信号电极的宽度为10μm，测温电极的宽度为10μm，加热电极的宽度为20μm，电极组的厚度为200nm。