[发明专利]提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法有效
| 申请号： | 201010518386.7 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102005379A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 刘宪周;克里丝;张怡;彭树根 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/318 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 沟槽 顶角 可靠性 方法 | ||
1.一种提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法，其特征在于，所述提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法包括以下步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底为硅基衬底；
硬掩膜的制备，所述硬掩膜具有氮化硅膜，且在所述氮化硅膜与半导体衬底之间形成垫子氧化层，在所述氮化硅之异于垫子氧化层的一侧形成氧化硅膜；
沟槽的制备，利用上述硬掩膜为掩膜，对半导体衬底进行刻蚀以形成沟槽；
栅氧的制备与多晶硅填充，所述栅氧形成在所述沟槽内壁，多晶硅淀积填充在所述沟槽内；
平坦化处理，通过化学抛光工艺去除硬掩膜及多晶硅；
源极离子注入与退火，所述退火工艺在氧气氛围下进行；
淀积介电层，所述介电层淀积采用低压淀积氧化硅工艺。
2.如权利要求1所述的提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法，其特征在于，所述去除硬掩膜的方式是在对多晶硅平坦化处理后再去除氮化硅膜。
3.如权利要求2所述的提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法，其特征在于，所述氮化硅膜的去除方法是采用浓氢氟酸或者浓磷酸。
4.如权利要求1所述的提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法，其特征在于，所述去除硬掩膜的方式是直至进行源极离子注入之前去除氮化硅膜。
5.如权利要求4所述的提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法，其特征在于，所述氮化硅膜的去除方法是采用浓氢氟酸或者浓磷酸。
6.如权利要求1所述的提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法，其特征在于，所述氮化硅膜采用低压淀积方式生成。
7.如权利要求1所述的提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法，其特征在于，所述垫子氧化层是通过对晶圆表面进行热氧化工艺，使半导体衬底表面氧化而形成。
8.如权利要求1所述的提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法，其特征在于，所述平坦化处理在所述氮化硅膜处停止。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
