[发明专利]四晶体管CMOS图像传感器及其设计方法

权利要求书

1.一种四晶体管CMOS图像传感器，包括光敏二极管、复位晶体管、转移晶体管、源跟随晶体器和行选通开关晶体管，其特征在于，所述转移晶体管具有埋入式沟道。

2.根据权利要求1所示的四晶体管CMOS图像传感器，其特征在于，其中所述转移晶体管的埋入式沟道的深度可以调节。

3.根据权利要求1或2所示的四晶体管CMOS图像传感器，其特征在于，其中，所述光敏二极管的输入端接地，所述光敏二极管的输出端连接至转移晶体管的源极；所述转移晶体管的栅极连接至转移控制信号，所述转移晶体管的漏极连接至所述复位晶体管的漏极，所述复位晶体管的栅极连接至所述复位控制信号，所述复位晶体管的源极连接至电源电压；所述源跟随晶体器的源极连接至电源电压，所述源跟随晶体器的栅极连接至所述转移晶体管的漏极以及所述复位晶体管的漏极，所述源跟随晶体器的漏极连接至所述行选通开关晶体管的源极；所述行选通开关晶体管的栅极连接至所述行选通控制信号，并且所述行选通开关晶体管的漏极连接至列总线。

4.根据权利要求1或2所示的四晶体管CMOS图像传感器，其特征在于，其中，所述复位晶体管、所述转移晶体管、所述源跟随晶体器、和所述行选通开关晶体管均为NMOS晶体管。

5.一种四晶体管CMOS图像传感器设计方法，所述四晶体管CMOS图像传感器包括光敏二极管、复位晶体管、转移晶体管、源跟随晶体器和行选通开关晶体管，其特征在于，所述四晶体管CMOS图像传感器设计方法包括将所述转移晶体管设计成具有埋入式沟道。

6.根据权利要求5所示的四晶体管CMOS图像传感器设计方法，其特征在于，其中将所述转移晶体管的埋入式沟道的深度设计为可以调节。

7.根据权利要求5或6所示的四晶体管CMOS图像传感器设计方法，其特征在于，其中，将所述光敏二极管的输入端接地，将所述光敏二极管的输出端连接至转移晶体管的源极；将所述转移晶体管的栅极连接至转移控制信号，将所述转移晶体管的漏极连接至所述复位晶体管的漏极，将所述复位晶体管的栅极连接至所述复位控制信号，将所述复位晶体管的源极连接至电源电压；将所述源跟随晶体器的源极连接至电源电压，将所述源跟随晶体器的栅极连接至所述转移晶体管的漏极以及所述复位晶体管的漏极，将所述源跟随晶体器的漏极连接至所述行选通开关晶体管的源极；将所述行选通开关晶体管的栅极连接至所述行选通控制信号，并且将所述行选通开关晶体管的漏极连接至列总线。

8.根据权利要求5或6所示的四晶体管CMOS图像传感器设计方法，其特征在于，其中，将所述复位晶体管、所述转移晶体管、所述源跟随晶体器、和所述行选通开关晶体管设计为NMOS晶体管。