[发明专利]双极互补金属氧化半导体及其制备方法无效
| 申请号： | 201010518432.3 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102013434A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 孙涛 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化 半导体 及其 制备 方法 | ||
1.一种双极互补金属氧化半导体，包括衬底和设置于所述衬底的用于隔离的浅沟槽，其特征在于，在所述衬底内，所述浅沟槽的下方以注入硼的方式形成隔离区，所述隔离区和所述浅沟槽的底部之间以注入氧的方式形成氧化硅层。
2.如权利要求1所述的双极互补金属氧化半导体，其特征在于，所述浅沟槽的表面设置有衬垫氧化层。
3.如权利要求2所述的双极互补金属氧化半导体，其特征在于，所述浅沟槽内填充有氧化硅。
4.如权利要求2所述的双极互补金属氧化半导体，其特征在于，所述浅沟槽内通过高密度等离子体化学气相淀积工艺填充有氧化硅。
5.一种双极互补金属氧化半导体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在衬底上刻蚀形成用于隔离的浅沟槽；
在所述浅沟槽的下方的衬底的部分区域注入硼，并进行退火处理以形成隔离区；
在所述隔离区和所述浅沟槽的底部之间的衬底的区域注入氧，并进行退火处理以形成氧化硅层。
6.如权利要求5所述的双极互补金属氧化半导体的制备方法，其特征在于，在衬底上刻蚀形成用于隔离的浅沟槽包括如下步骤：
在衬底上沉积衬垫氧化层和硬掩膜层；
光刻胶涂布和光刻定义浅沟槽区域；
刻蚀曝光露出的硬掩膜层、衬垫氧化层和部分衬底，形成所述浅沟槽。
7.如权利要求5所述的双极互补金属氧化半导体的制备方法，其特征在于，在形成所述氧化硅层的步骤后，在所述浅沟槽的表面沉积衬垫氧化层。
8.如权利要求7所述的双极互补金属氧化半导体的制备方法，其特征在于，在所述浅沟槽的表面沉积衬垫氧化层后，通过高密度等离子体化学气相淀积工艺在所述浅沟槽内填充氧化硅。
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