[发明专利]氮化物半导体衬底、其制造方法及氮化物半导体装置

权利要求书

1.一种氮化物半导体衬底，其特征在于，其具有由作为生长面的表面和其反对侧的背面构成的两个主面，

利用从相对于所述表面倾斜的特定非对称面的衍射，通过X射线摆动曲线测定得到距所述表面规定深度的区域的对应的半值宽度，由此所得的距所述表面的深度为0～250nm的表层区域的半值宽度比距所述表面深度超过5μm的内部区域的半值宽度窄。

2.根据权利要求1所记载的氮化物半导体衬底，其特征在于，所述衬底为GaN自支撑衬底、AlN自支撑衬底或Al_xGa_1-xN自支撑衬底，其中0＜x＜1。

3.根据权利要求2所记载的氮化物半导体衬底，其特征在于，在所述表面区域所测得的半值宽度是在所述内部区域所测得的半值宽度的90％以下。

4.根据权利要求3所记载的氮化物半导体衬底，其特征在于，所述非对称面是满足如下条件的面：当布拉格衍射角为θ时，顶角为180-2θ度、以所述非对称面的法线为中心轴、顶点在试样表面上的假想的圆锥面的一部分与所述试样表面相交叉。

5.根据权利要求4所记载的氮化物半导体衬底，其特征在于，所述表面为{0001}面或者其10度以下的微倾斜面，所述非对称面是{10-11}、{10-12}、{10-13}、{20-21}或{11-22}面。

6.根据权利要求4所记载的氮化物半导体衬底，其特征在于，所述表面为{10-10}面或者其10度以下的微倾斜面，所述非对称面是{10-11}、{10-12}、{10-13}、{10-14}、{10-15}、{10-16}、{11-20}或{11-22}面。

7.根据权利要求4所记载的氮化物半导体衬底，其特征在于，所述表面为{11-20}面或者其10度以下的微倾斜面，所述非对称面是{10-10}或{11-22}面。

8.根据权利要求4所记载的氮化物半导体衬底，其特征在于，所述表面为{11-22}面或者其10度以下的微倾斜面，所述非对称面是{0001}或{11-20}面。

9.根据权利要求4所记载的氮化物半导体衬底，其特征在于，所述表面为{10-11}面或者其微倾斜面，所述非对称面是{0001}或{10-10}面。

10.根据权利要求4所记载的氮化物半导体衬底，其特征在于，所述表面为{10-12}面或者其微倾斜面，所述非对称面是{0001}、{10-10}或{10-11}面。

11.根据权利要求4所记载的氮化物半导体衬底，其特征在于，所述表面为{20-21}面或者其微倾斜面，所述非对称面是{0001}、{10-12}、{10-13}、{10-14}或{10-15}面。

12.一种氮化物半导体衬底的制造方法，其为制造权利要求1～11中任一项所记载的氮化物半导体衬底的制造方法，依次进行如下工序：

通过机械抛光或平面磨削来形成主面，使单晶的表面的均方根(RMS)达到5nm以下的工序；

通过进行使用胶态二氧化硅的化学机械抛光(CMP)或者干法刻蚀来降低机械抛光或平面磨削所产生的损伤，使RMS达到2nm以下的工序；

一边滴加在含有2mol％以下的氟化铵的溶液中添加了粒径100nm以下的氧化镓微粉的溶液，一边在紫外线照射下持续摩擦表面1小时以上的工序。

13.一种氮化物半导体装置，其是在权利要求1～11中任一项所记载的氮化物半导体衬底上，形成由氮化物半导体衬底晶体所构成的外延层而形成的。