[发明专利]有机发光二极管显示设备及其制造方法有效
申请号: | 201010519011.2 | 申请日: | 2010-10-21 |
公开(公告)号: | CN102082164A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
发明(设计)人: | 高武恂;刘在浩 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 郭鸿禧;李娜娜 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管显示设备,所述有机发光二极管显示设备包括:
基板,具有第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域;
第一阳极,形成在第一子像素区域至第三子像素区域中的每个子像素区域中,并且第一阳极彼此分开;
覆层,设置在第一阳极的边缘上;
第二阳极,设置在第一子像素区域的第一阳极和第二子像素区域的第一阳极上;
第三阳极,设置在第一子像素区域的第二阳极上。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示设备,其中,覆层包括选自于由丙烯酸有机化合物、聚酰胺和聚酰亚胺组成的组中的至少一种。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示设备,其中,第一阳极包括选自于由ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO、ITO/Ag合金/ITO和ITO/Ag-Pd-Cu合金/ITO组成的组中的至少一种结构。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示设备,其中,第二阳极包括选自于由ITO、IZO、ZnO和In2O3组成的组中的至少一种。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示设备,其中,第三阳极包括选自于由ITO、IZO、ZnO和In2O3组成的组中的至少一种。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示设备,其中,第一子像素是红色子像素,第二子像素是绿色子像素,第三子像素是蓝色子像素。
7.一种制造有机发光二极管显示设备的方法,所述制造有机发光二极管显示设备的方法包括以下步骤:
在基板的第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域中形成第一阳极;
形成覆层,所述覆层覆盖第一阳极的边缘;
在第一子像素区域的第一阳极和第二子像素区域的第一阳极上形成第二阳极;
在第一子像素区域的第二阳极上形成第三阳极。
8.如权利要求7所述的制造有机发光二极管显示设备的方法,其中,形成覆层的步骤包括使用光刻。
9.如权利要求7所述的制造有机发光二极管显示设备的方法,其中,形成第二阳极的步骤包括使用光刻。
10.如权利要求7所述的制造有机发光二极管显示设备的方法,其中,形成第三阳极的步骤包括使用光刻。
11.如权利要求7所述的制造有机发光二极管显示设备的方法,其中,覆层包括选自于由丙烯酸有机化合物、聚酰胺和聚酰亚胺组成的组中的至少一种。
12.如权利要求7所述的制造有机发光二极管显示设备的方法,其中,第一阳极包括选自于由ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO、ITO/Ag合金/ITO和ITO/Ag-Pd-Cu合金/ITO组成的组中的至少一种结构。
13.如权利要求7所述的制造有机发光二极管显示设备的方法,其中,第二阳极包括选自于由ITO、IZO、ZnO和In2O3组成的组中的至少一种。
14.如权利要求7所述的制造有机发光二极管显示设备的方法,其中,第三阳极包括选自于由ITO、IZO、ZnO和In2O3组成的组中的至少一种。
15.如权利要求7所述的制造有机发光二极管显示设备的方法,其中,第一子像素是红色子像素,第二子像素是绿色子像素,第三子像素是蓝色子像素。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星移动显示器株式会社,未经三星移动显示器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010519011.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:永磁限矩耦合器
- 下一篇:一种裁片印花的隧道式烘干机热循环系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的