[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 201010519048.5 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102122792A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 荒木田孝博;内田史朗;汐先政贵;前田修 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/026 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体发光器件，包括：
在衬底上的半导体光检测元件；以及
在所述半导体光检测元件上的面发光半导体激光元件，
其中，所述面发光半导体激光元件包括：
第一多层反射膜，在所述半导体光检测元件上；
活性层，设置在所述第一多层反射膜上并且包括发光区域；
第二多层反射膜，在所述活性层上；
第一氧化层，设置在所述第一多层反射膜或所述第二多层反射膜中，具有与所述活性层中的所述发光区域相对的用于通过电流的开口，并且具有在所述开口的外围的氧化区域；以及
一个或多个第二氧化层，设置在所述活性层和所述半导体光检测元件之间，具有与所述第一氧化层中的所述开口相对的开口，并且具有在所述开口的外围的氧化区域。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第二氧化层反射并散射由所述面发光半导体激光元件产生的自发发射光，从而抑制所述自发发射光向所述半导体光检测元件侧的传播。
3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述开口由AlAs或AlGaAs制成，并且所述氧化区域由氧化铝制成。
4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，
所述第一多层反射膜的在层堆叠方向上的至少一部分、所述活性层以及所述第二多层反射膜形成为具有圆柱形状或矩形柱形形状的柱状部，以及
所述第一氧化层和所述第二氧化层都设置在所述柱状部中。
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