[发明专利]用于制造并组装可印刷半导体元件的方法和设备

权利要求书

1.一种可拉伸半导体元件，包括：

具有支承面的柔性基片；以及

具有弯曲内表面的可印刷单晶半导体结构，所述弯曲内表面具有至少一个凹区域和至少一个凸区域，其中所述弯曲内表面的至少一部分与所述柔性基片的所述支承面联结，所述半导体结构包括处于应变状态的屈曲结构，所述屈曲结构以由施加提供所述应变的力而引起的弯曲形态提供。

2.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述晶体无机半导体结构具有与所述所述弯曲内表面相对的弯曲外表面。

3.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述弯曲内表面具有多个凸区域。

4.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述弯曲内表面具有多个凹区域。

5.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述弯曲内表面具有呈周期波特征的轮廓。

6.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述弯曲内表面具有呈非周期波特征的轮廓。

7.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述半导体结构包括呈屈曲构造的带状物，所述带状物具有遍及所述带状物长度的、呈周期波特征的轮廓。

8.权利要求7的可拉伸半导体元件，其中所述屈曲带具有选自约5微米至约50微米范围的宽度以及选自约50纳米至约500纳米范围的厚度。

9.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述弯曲内表面在沿着所述弯曲内表面的几乎全部点上与所述支承面联结。

10.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述弯曲内表面在沿着所述弯曲内表面的选定的点上与所述支承面不连续地联结。

11.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述柔性基片含有聚(二甲基硅氧烷)。

12.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述柔性基片具有等于约1毫米的厚度。

13.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述半导体结构为无机半导体材料。

14.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述半导体结构含有单晶硅。

15.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述半导体结构中的重金属杂质的浓度小于1ppb原子。

16.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述单晶半导体为选自Si、Ge、金刚石、SiC、SiGe、AlSb、AlAs、Aln、AlP、BN、GaSb、GaAs、GaN、GaP、InSb、InAs、InN、InP、Al_xGa_1-xAs、CsSe、CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnSe、ZnS、HgS、PbS、ZnTe、CuCl、PbS、PbTe、SnS、PbI₂、MoS₂、GaSe、CuO、Cu₂O、AlGaAs、AlInAs、AlInP、GaAsP、GaInAs、GaInP、AlGaAsSb、AlGaInP和GaInAsP的材料。

17.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述单晶半导体掺杂有P型掺杂材料或掺杂有n型掺杂材料。

18.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述单晶半导体为氧杂质少于约5-25ppm原子的高纯度半导体。

19.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述单晶半导体为碳杂质少于约1-5ppm原子的高纯度半导体。

20.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述单晶半导体为重金属杂质少于或等于约1ppm原子的高纯度半导体。

21.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述单晶半导体为重金属杂质少于或等于约100ppb原子的高纯度半导体。

22.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述单晶半导体为重金属杂质少于或等于约1ppb原子的高纯度半导体。

23.权利要求1的可拉伸半导体元件，还包括一个或多个与所述单晶半导体结构操作性地连接的器件组件，所述一个或多个器件组件选自介电层、电极和附加半导体结构。

24.权利要求1的可拉伸半导体元件，其中所述应变大于0.5％、大于1％或大于3％。