[发明专利]兼具阻隔作用及良好生物相容性的内壁涂层的制备方法无效
申请号: | 201010519868.4 | 申请日: | 2010-10-19 |
公开(公告)号: | CN102453883A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 吴东;陈宇林;郭敏;王东君 | 申请(专利权)人: | 英作纳米科技(北京)有限公司 |
主分类号: | C23C16/22 | 分类号: | C23C16/22;C23C16/40;C23C16/44 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 张颖玲;迟姗 |
地址: | 100098 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 兼具 阻隔 作用 良好 生物 相容性 内壁 涂层 制备 方法 | ||
1.一种兼具阻隔作用及良好生物相容性的内壁涂层的制备方法,其特征在于,包括:
步骤S10:将待处理体放入原子层沉积设备的反应腔体中,对所述反应腔体进行真空处理;
步骤S20:将一定量的第一前驱体脉冲压入所述反应腔体中,压入的第一前驱体在所述待处理体内壁浸润吸附,抽气去除多余的所述第一前驱体;
步骤S30:将一定量的第二前驱体脉冲压入所述反应腔体中,压入的第二前驱体与所述待处理体内壁表面上的所述第一前驱体反应吸附,抽气去除多余的所述第二前驱体以及反应副产物;
步骤S40:重复所述步骤S20和步骤S30,直至所述待处理体内壁沉积所需厚度的涂层薄膜;
其中,所述第一前驱体为含钛前驱体,所述第二前驱体为含氧前驱体;或者,所述第一前驱体为含氧前驱体,所述第二前驱体为含钛前驱体。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将一定量的第一前驱体压入反应腔体后,所述步骤S20还包括:所述第一前驱体在所述反应腔体中驻留。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将一定量的第二前驱体压入反应腔体后,所述步骤S30还包括:所述第二前驱体在所述反应腔体中驻留。
4.如权利要求2或3所述的方法,其特征在于,驻留时间为1-100S。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S20和步骤S30中,脉冲时间分别为0.015-100S。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S20和步骤S30中,抽气时间分别为5-600S。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S10之后,该方法还包括:加热所述含钛前驱体。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,加热温度为20-180℃。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述含钛前驱体包括:TDMAT、TEMAT、TDEAT、TiCl4、TiI4、Ti(OMe)4、Ti(OEt)4、Ti(OiPr)4、Ti(OiPr)2(dmae)2、Ti(OBu)4或Ti(NMe2)4。
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述含氧前驱体包括:H2O、O2、H2O2、O3或O等离子体。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的