[发明专利]带有介电层组的半导体元件在审
| 申请号： | 201010519976.1 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102074553A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | W·沃纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曹若;梁冰 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带有 介电层组 半导体 元件 | ||
1.半导体元件，具有：
·半导体区域(10)，
·与该半导体区域(10)相邻的第一导电层(20)，
·带有第一介电特性的第一介电层(30)，
·带有第二介电特性的第二介电层(40)，
其中该第一介电特性不同于第二介电特性，而且第一介电层(30)和第二介电层(40)处于半导体区域(10)和第一导电层(20)之间，
·第二导电层(50)，其安排在第一介电层(30)和第二介电层(40)之间，
·分压器(60)，其接在第一导电层(20)和半导体区域(10)之间，
其中第二导电层(50)只与分压器(60)导电连接。
2.按照权利要求1的半导体元件，其中第一介电层(30)厚度为10nm至2μm。
3.按照权利要求1或2的半导体元件，其中该第一介电层(30)毗邻半导体区域(10)。
4.按照上列权利要求中一项的半导体元件，其中该第二介电层(40)厚度为10nm至2μm。
5.按照上列权利要求中一项的半导体元件，其中该第二介电层(40)毗邻第一导电层(20)。
6.按照上列权利要求中一项的半导体元件，其中第一和第二介电层(30)，(40)具有不同的导电性。
7.按照上列权利要求中一项的半导体元件，其中第一介电层(30)由SiO2组成，而第二介电层(40)由不同于SiO2的介电材料组成。
8.按照上列权利要求中一项的半导体元件，其中介电层(30)，(40)中的至少一个具有相对介质常数(εr)的负温度系数。
9.按照上列权利要求中一项的半导体元件，其中该分压器(60)由至少一个电阻(70)和至少一个二极管(80)建立。
10.按照权利要求9的半导体元件，其中至少一个电阻(70)接在第一导电层(20)和第二导电层(50)之间，而至少一个二极管接在第二导电层(50)和半导体区域(10)之间。
11.按照上列权利要求1至8中一项的半导体元件，其中该分压器(60)由至少两个电阻(90)，(100)建立。
12.按照权利要求11的半导体元件，其中至少一个电阻(90)接在第一导电层(20)和第二导电层(50)之间，而至少另一个电阻接在第二导电层(50)和半导体区域(10)之间。
13.按照权利要求11或12的半导体元件，其中至少一个电阻(90)接在第一导电层(20)和第二导电层(50)之间，而至少另一个电阻(100)接在第二导电层(50)和第三导电层(110)之间，其中该第三导电层(110)与该半导体区域(10)电连接。
14.按照上列权利要求9至13中一项的半导体元件，其中至少一个电阻(70)，(90)，(100)是第一介电层(30)或者第二介电层(40)的部分。
15.按照上列权利要求1至8中一项的半导体元件，其中该分压器(60)由至少两个二极管(120)，(130)形成。
16.按照权利要求15的半导体元件，其中至少一个二极管(120)接在第一导电层(20)和第二导电层(50)之间，而至少另一个二极管(130)接在第二导电层(50)和半导体区域(10)之间。
17.按照上列权利要求中一项的半导体元件，其中该半导体区域(10)是MOS-晶体管的沟道区。
18.按照上列权利要求中一项的半导体元件，其中该第二导电层(50)的厚度为10nm至100nm。
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