[发明专利]一种宽谱广角增透亚波长结构的制备方法有效
申请号: | 201010520212.4 | 申请日: | 2010-10-26 |
公开(公告)号: | CN102033255A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 张瑞英;董建荣;杨辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | G02B5/18 | 分类号: | G02B5/18;C23C14/18;C25D11/04;C25D11/26 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 陈忠辉 |
地址: | 215123 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 广角 增透亚 波长 结构 制备 方法 | ||
1.一种宽谱广角增透亚波长结构的制备方法,其特征在于包括步骤:
I、将需要宽谱广角增透的器件作为基底,并于其表面蒸镀一定厚度铝或钛的金属膜;
II、将沉积有金属膜的基底放入阳极氧化槽装置中进行完全阳极氧化,形成从基底表面金属氧化物垒层到空气折射率渐变的氧化铝或氧化钛的多孔结构;
III、将覆盖有氧化铝或氧化钛的多孔结构的基底从阳极氧化槽装置中取出,清洗并去垒层,制得宽谱广角减反的亚波长结构;
IV、对具有亚波长结构的基底材料进行脱水晶化处理,使亚波长结构透明化,且与基底结合为一体。
2.根据权利要求1所述的一种宽谱广角增透亚波长结构的制备方法,其特征在于:步骤I中需要宽谱广角增透的器件至少包括玻璃、石英或有机聚合物,其为与氧化铝的折射率差在±0.4之内,或与氧化钛的折射率差在±0.5之内的平面、曲面或凹凸错落的非规则曲面基底。
3.根据权利要求1所述的一种宽谱广角增透亚波长结构的制备方法,其特征在于:步骤I中在基底上蒸镀金属膜的方法至少包括电子束蒸发、溅射、热蒸发或电化学沉积。
4.根据权利要求1所述的一种宽谱广角增透亚波长结构的制备方法,其特征在于:步骤II中阳极氧化槽装置以能发生需要条件和面积的阳极氧化反应为准,所述阳极氧化方法包括直接一次氧化、纳米预压印后一次氧化、两次氧化或多次氧化中的一种,并且最后一次阳极氧化通过连续或者间歇式调节氧化电压或者更换氧化所需电解液或者二者均采用的方式,制得所需从基底表面金属氧化物垒层到空气折射率渐变的多孔结构。
5.根据权利要求4所述的一种宽谱广角增透亚波长结构的制备方法,其特征在于:所述调节氧化电压的方法包括直流渐变、脉冲渐变以及直流和脉冲相结合的方式。
6.根据权利要求4所述的一种宽谱广角增透亚波长结构的制备方法,其特征在于:所述氧化所需电解液至少包括硫酸、草酸、磷酸或它们的混合溶液。
7.根据权利要求1所述的一种宽谱广角增透亚波长结构的制备方法,其特征在于:步骤III中去除垒层的方法至少包括酸洗、碱洗、等离子体清洗、反向偏压或者正向逐步降压。
8.根据权利要求1所述的一种宽谱广角增透亚波长结构的制备方法,其特征在于:步骤IV中脱水晶化的方法至少包括热退火和等离子体进一步氧化,满足去除亚波长结构中的OH基团、水合金属氧化物,使亚波长结构透明化,且与基底结合为一体。
9.根据权利要求1所述的一种宽谱广角增透亚波长结构的制备方法,其特征在于:步骤I中在基底表面蒸镀一定厚度铝或钛的金属膜,其中所述金属膜沉积于基底的单侧表面或双侧表面。
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