[发明专利]控制背孔剖面形状的方法有效
| 申请号： | 201010520271.1 | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102456610A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 魏珂;黄俊;刘果果;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制 剖面 形状 方法 | ||
1.一种控制背孔剖面形状的方法，其特征在于，包括：
在底层材料上沉积金属薄膜；
刻蚀去除所述底层材料上背孔位置沉积的金属薄膜；
以所述底层材料上剩余的金属薄膜为掩膜对所述底层材料进行等离子刻蚀，通过逐步降低等离子刻蚀过程中制冷介质的流量来实现对所述背孔剖面形状的控制。
2.根据权利要求1所述的控制背孔剖面形状的方法，其特征在于，所述底层材料为碳化硅SiC，所述制冷介质为氦。
3.根据权利要求2所述的控制背孔剖面形状的方法，其特征在于，所述通过逐步降低等离子刻蚀过程中制冷介质的流量来实现对背孔剖面形状的控制中，所述氦的流量从大于等于100sccm降至小于等于10sccm，呈近似线性变化。
4.根据权利要求3所述的控制背孔剖面形状的方法，其特征在于，所述氦的流量从100sccm降至0sccm。
5.根据权利要求4所述的控制背孔剖面形状的方法，其特征在于，所述SiC的厚度为90μm，所述金属薄膜为镍Ni薄膜，所述Ni薄膜的厚度为3μm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的控制背孔剖面形状的方法，其特征在于，所述背孔的倾斜角度介于60°至80°之间。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的控制背孔剖面形状的方法，其特征在于，所述刻蚀去除底层材料上背孔位置沉积的金属薄膜包括：
在所述金属薄膜上旋涂光刻胶；
通过曝光、显影步骤，将背孔位置旋涂的光刻胶去除，暴露所述背孔位置沉积的金属薄膜；
通过湿法刻蚀，将所述背孔位置沉积的金属薄膜去除。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的控制背孔剖面形状的方法，其特征在于，所述以底层材料上剩余的金属薄膜为掩膜对底层材料进行等离子刻蚀之后还包括：
在具有背孔的所述底层材料上溅射起镀层，所述起镀层为双层，下层为Ti层，上层为Au层；
在所述起镀层上电镀Au。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010520271.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
