[发明专利]控制背孔剖面形状的方法

权利要求书

1.一种控制背孔剖面形状的方法，其特征在于，包括：

在底层材料上沉积多层金属薄膜，所述多层金属薄膜中的各层对所述底层材料具有不同的刻蚀方向选择比；

刻蚀去除所述底层材料背孔位置沉积的多层金属薄膜；

以所述底层材料上剩余的多层金属薄膜为掩膜对所述底层材料进行刻蚀，利用所述多层金属薄膜对所述底层材料的不同刻蚀方向选择比来实现对背孔剖面形状的控制。

2.根据权利要求1所述的控制背孔剖面形状的方法，其特征在于，所述底层材料为碳化硅SiC，所述多层金属薄膜为两层，其中：上层为具有高SiC刻蚀方向选择比的金属薄膜层，下层为具有低SiC刻蚀方向选择比的金属薄膜层。

3.根据权利要求2所述的控制背孔剖面形状的方法，其特征在于，所述SiC的厚度为90μm，所述具有高SiC刻蚀方向选择比的金属薄膜为钛Ti薄膜，厚度为2μm；所述具有低SiC刻蚀方向选择比的金属薄膜为镍Ni薄膜，厚度为1μm。

4.根据权利要求2所述的控制背孔剖面形状的方法，其特征在于，所述SiC的厚度为90μm，所述具有高SiC刻蚀方向选择比的金属薄膜为钨W薄膜，厚度为2.5-3μm；所述具有低SiC刻蚀方向选择比的金属薄膜为镍Ni薄膜，厚度为1μm。

5.根据权利要求3或4所述的控制背孔剖面形状的方法，其特征在于，所述背孔的倾斜角度介于60°至80°之间。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的控制背孔剖面形状的方法，其特征在于，所述刻蚀去除底层材料背孔位置沉积的多层金属薄膜包括：

在所述多层金属薄膜上旋涂光刻胶；

通过曝光、显影步骤，将背孔位置的光刻胶去除，暴露所述背孔位置沉积的多层金属薄膜；

通过湿法刻蚀，将所述背孔位置沉积的多层金属薄膜去除。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的控制背孔剖面形状的方法，其特征在于，所述以底层材料上剩余的多层金属薄膜为掩膜对底层材料进行刻蚀，采用等离子刻蚀方式实现。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的控制背孔剖面形状的方法，其特征在于，所述在底层材料上获得具有倾斜侧壁的背孔的步骤之后还包括：

在具有背孔的所述底层材料上溅射起镀层，所述起镀层为双层，下层为Ti层，上层为金Au层；

在所述起镀层上电镀Au。