[发明专利]酞菁化合物及有机薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201010520550.8 | 申请日： | 2010-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102002047A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 耿延候;田洪坤;董少强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | C07D487/22 | 分类号： | C07D487/22;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 魏晓波;逯长明 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 有机 薄膜晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种如式(I)所示的酞菁化合物，
式(I)，
其中，
R1、R2、R3和R4为相同的烷基；
R1在1或4位中的任一位置；
R2在8或11位中的任一位置；
R3在15或18位中的任一位置；
R4在22或25位中的任一位置；
M为钛或钒。
2.根据权利要求1所述的酞菁化合物，其特征在于，所述烷基为直链烷基或支化链的烷基。
3.根据权利要求2所述的酞菁化合物，其特征在于，所述直链烷基为C4～C18的直链烷基。
4.根据权利要求3所述的酞菁化合物，其特征在于，所述直链烷基为己基。
5.根据权利要求1所述的酞菁化合物，其特征在于，具有如式(II)、式(III)、式(IV)或式(V)所示的结构：
式(II)，
式(III)，
式(IV)，
式(V)。
6.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，半导体层由权利要求1～5任意一项所述的酞菁化合物构成。
7.根据权利要求6所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层由溶液沉积的方法制备。
8.根据权利要求6所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层经过热退火处理。
9.根据权利要求8所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述热退火处理为单一温度退火或在不同温度下的梯度退火。
10.根据权利要求8所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述热退火处理的温度为20～200℃。
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