[发明专利]卡盘及其制造方法、具有该卡盘的晶片处理设备无效
申请号: | 201010521098.7 | 申请日: | 2010-10-21 |
公开(公告)号: | CN102456604A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 康明阳 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/00 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 卡盘 及其 制造 方法 具有 晶片 处理 设备 | ||
1.一种卡盘,其特征在于,包括:
基座;
薄膜加热器,所述薄膜加热器位于所述基座之上;
匀热板,所述匀热板安装于所述薄膜加热器之上,其中,在所述匀热板上部分的单位网格中设有导热薄层,所述部分的单位网格为被测温度低于预设温度的单位网格;和
卡盘本体,所卡盘本体位于具有所述导热薄层的匀热板之上。
2.如权利要求1所述的卡盘,其特征在于,所述导热薄层的厚度为2μm~10μm。
3.如权利要求1或2所述的卡盘,其特征在于,所述卡盘本体与具有所述导热薄层的匀热板之间设置有粘结层,且所述粘结层的厚度至少为100μm。
4.如权利要求1所述的卡盘,其特征在于,所述导热薄层为镀银层、镀金层或镀铂层。
5.如权利要求1所述的卡盘,其特征在于,所述单位网格的面积为5mm2~100mm2。
6.一种卡盘的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供基座;
在所述基座之上形成薄膜加热器;
在所述薄膜加热器之上安装匀热板;
在所述匀热板的上表面上划分多个单位网格;
分别测量所述匀热板上每个单位网格对应的温度,并检测所述每个单位网格对应的被测温度是否低于预设温度;
在所述被测温度低于所述预设温度的单位网格之上形成导热薄层;和
在形成有所述导热薄层的匀热板之上形成卡盘本体。
7.如权利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述导热薄层的厚度为2-10μm。
8.如权利要求6或7所述的卡盘,其特征在于,所述卡盘本体通过粘结剂所形成的粘结层与形成有所述导热薄层的匀热板粘结在一起,且所述粘结层的厚度至少为100μm。
9.如权利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述导热薄层为镀银层、镀金层或镀铂层。
10.如权利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述单位网格的面积为5mm2~100mm2。
11.如权利要求6所述的制造方法,其特征在于,在所述匀热板的上表面划分网格之前还包括:
对所述基座、薄膜加热器和匀热板所形成卡盘的半成品进行加热,以使所述卡盘的半成品达到温度平衡。
12.一种晶片处理设备,其特征在于,包括:
反应室;
如权利要求1-5中任一项所述的卡盘,所述卡盘设置于所述反应室内。
13.如权利要求12所述的晶片处理设备,其特征在于,进一步包括托盘,所述托盘可拆卸地设置在所述卡盘上。
14.如权利要求12所述的晶片处理设备,其特征在于,所述反应室用于对晶片进行等离子体处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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