[发明专利]基于铁电薄膜电畴的极化组装微小颗粒有序阵列的方法无效
申请号: | 201010521402.8 | 申请日: | 2010-10-27 |
公开(公告)号: | CN102030308A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 沈臻魁;陈国平;刘冉 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 薄膜 极化 组装 微小 颗粒 有序 阵列 方法 | ||
1.一种基于铁电材料电畴的极化组装微小颗粒有序阵列的方法,其特征在于通过选择性的极化铁电材料的电畴,使得铁电材料表面带上图形化分布的表面电荷,进而与带有极性的微小颗粒相互作用,使微小颗粒选择性地组装在铁电材料表面,具体步骤为:
(1)在衬底上淀积铁电薄膜;
(2)极化铁电薄膜电畴;
(3)将极化后的铁电材料置于溶液中;
(4)从溶液中取出铁电薄膜并将其干燥。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:在衬底上形成铁电薄膜淀积的方法为旋涂、化学方法淀积或物理方法淀积。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述的衬底为硅、铂、钌、铱、铬、金、氧化铱或玻璃。
4.根据权利要求1、2或3所述的方法,其特征在于:所述的微小颗粒是金属颗粒、生物分子或细胞。
5.根据权利要求1、2或3所述的方法,其特征在于:所述铁电薄膜的材料为锆钛酸铅、钛酸锶铋、钛酸铋镧、钛酸钡锶或聚偏二氟乙烯基铁电材料。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:所述铁电薄膜的材料为锆钛酸铅、钛酸锶铋、钛酸铋镧、钛酸钡锶或聚偏二氟乙烯基铁电材料。
7.根据权利要求1、2、3或4所述的方法,其特征在于:所述极化铁电薄膜电畴的方法为外加电场、紫外线照射、化学腐蚀或压印。
8.根据权利要求1、2、3或4所述的方法,其特征在于:所述溶液为含有一定的带极性的正负离子或者生物分子的溶液。
9.根据权利要求1、2、3或4所述的方法,其特征在于:所述的干燥方法为热板加热或风干。
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