[发明专利]镀膜件及其制备方法无效
| 申请号： | 201010521488.4 | 申请日： | 2010-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102453868A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;黄嘉 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镀膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种镀膜件，包括基材及形成于基材表面的透明导电薄膜，其特征在于：该透明导电薄膜为Me掺杂二氧化钛薄膜，其中Me为钒、铌及钽中的两种或两种以上。
2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述基材为玻璃或陶瓷。
3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述透明导电薄膜中掺杂的钒的质量百分含量为1～5％。
4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述透明导电薄膜中掺杂的铌的质量百分含量为1～3％。
5.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述透明导电薄膜中掺杂的钽的质量百分含量为1～3％。
6.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述透明导电薄膜以磁控溅射或蒸镀的方式形成。
7.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述透明导电薄膜的厚度为300～600nm。
8.一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤：
提供基材；
在基材表面形成透明导电薄膜，该透明导电薄膜为Me掺杂二氧化钛薄膜，其中Me为钒、铌及钽中的两种或两种以上。
9.如权利要求8所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述形成透明导电薄膜的步骤采用如下方式实现：采用磁控溅射法，使用含有钒、铌及钽中的两种或两种以上成份的合金靶以及钛靶为靶材，以氧气为反应气体，氧气流量为50～200sccm，以氩气为工作气体，氩气流量为100～300sccm，基材偏压为-100～-300V，加热使基材的温度为200～400℃，镀膜时间为45～60min。
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