[发明专利]晶体硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池有效

申请号：	201010521525.1	申请日：	2010-10-27
公开（公告）号：	CN102456762A	公开（公告）日：	2012-05-16
发明（设计）人：	董清世;万军鹏	申请（专利权）人：	信义光伏产业（安徽）控股有限公司
主分类号：	H01L31/055	分类号：	H01L31/055
代理公司：	深圳中一专利商标事务所 44237	代理人：	张全文
地址：	241000 安徽省芜***	国省代码：	安徽;34
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摘要：
搜索关键词：	晶体太阳能电池非晶硅
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【权利要求书】：

1.一种晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括依次结合的减反射膜层、透光玻璃层、第二封接层、晶体硅电池片、第一封接层和聚氟乙烯复合膜背板，所述减反射膜层、透光玻璃层、第一封接层、第二封接层至少一层中含有发光体。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述发光体为量子点、有机发光染料、稀土离子中的一种或几种。

3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于：

所述量子点为纳米尺寸的半导体晶体材料CdS、InAs中的至少一种；

所述有机发光染料为Lumogen-F570、Lumogen-F083、Lumogen-F240、Lumogen-F300中的至少一种；

所述稀土离子为Ce离子、Sm离子、Eu离子、Tb离子、Dy离子、Yb离子、Er离子中的至少一种。

4.根据权利要求1至3任一项所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述发光体在所含的层中的含量为0.5～5wt％。

5.根据权利要求1至3任一项所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述晶体硅电池片为单层晶体硅电池片。

6.根据权利要求1至3任一项所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述晶体硅电池片为双层晶体硅电池片，所述双层晶体硅电池片与第一封接层之间还设有依次结合的上转换发光膜层、镜面反射层，所述上转换发光膜层介于双层晶体硅电池片与镜面反射层之间，所述镜面反射层介于上转换发光膜层与第一封接层之间；所述上转换发光膜层含有发光体。

7.一种非晶硅太阳能电池，包括依次结合的减反射膜层、透光玻璃层、透明导电膜层、非晶硅pin膜层和金属背电极，所述减反射膜层、透光玻璃层、透明导电膜层至少一层中含有发光体。

8.根据权利要求7所述的非晶硅太阳能电池，其特征在于：所述发光体为量子点、稀土离子中的一种或几种。

9.根据权利要求8所述的非晶硅太阳能电池，其特征在于：

所述量子点为纳米尺寸的半导体晶体材料CdS、InAs中的至少一种；

所述稀土离子为Ce离子、Sm离子、Eu离子、Tb离子、Dy离子、Yb离子、Er离子中的至少一种。

10.根据权利要求7或8所述的非晶硅太阳能电池，其特征在于：所述发光体在所含的层中的含量为0.5～5％wt％。

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