[发明专利]密封等离子处理室的氧化钇等离子喷镀涂覆部件的方法有效
| 申请号： | 201010521844.2 | 申请日： | 2008-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN102005352A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 石洪;杜安·奥特卡;刘身健;约翰·多尔蒂 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J9/24 | 分类号： | H01J9/24 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 密封 等离子 处理 氧化钇 喷镀涂覆 部件 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种密封等离子处理室的氧化钇等离子喷镀涂覆部件的方法，该方法包括；
a)施加室温粘度小于50cP的液体厌氧密封剂到该部件的全部氧化钇层表面；
b)湿法清洁该部件；
c)在N2环境中至少150℃下固化该湿法清洁的部件超过2小时；以及，
d)以及通过重复a)到c)的步骤将第二液体厌氧密封剂施加于该固化的基片。
2.根据权利要求1所述的方法，其中该密封剂包含四甘醇二甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸2-羟基乙酯、糖精、异丙基苯过氧化氢和甲基丙烯酸。
3.根据权利要求1所述的方法，其中每个密封的氧化钇等离子喷镀涂覆层的电阻率大于每个未密封层电阻率的十倍。
4.根据权利要求1所述的方法，其中该密封剂有效渗透整个氧化钇层。
5.一种等离子处理方法，包括在等离子处理室中处理半导体基片，该室包括根据权利要求1所述的方法密封的氧化钇等离子喷镀涂覆部件。
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